ACNV260E-300Eの集積回路高い高速オプトカプラー10MBdオプトカプラー2mm DTI
integrated circuit chip
,radio frequency integrated circuit
ACNV260E-300Eの集積回路高い高速オプトカプラー10MBdオプトカプラー2mm DTI
記述の特徴
新しいACNV260Eはワイドボディのパッケージで収容されるAlGaAsの発光ダイオードおよびinte-によって火格子を付けられる光検出機構を結合する光学的につながれたゲートである。ACNV260EはEN60079-11 ATEXおよびIECExに従うように設計され、製造される。出るダイオードと光検出機構間の絶縁材(DTI)間隔によって2mmにある。探知器ICの出力はショットキーがトランジスターを締め金で止めた開いたコレクターである。内部盾は20,000 V/μsの保証された共通モード一時的な免除のspeciの陽イオンをでVcm = 1500V提供する
この独特な設計はTTLの両立性を達成している間最高ACおよびdc回路の分離を提供する。
特徴
•EN60079-11 ATEXおよびIECEx (375V)に迎合的
•2mm DTI
•13mmの表面漏れおよび整理
•20 kV/μsの最低の共通モード拒絶(CMR)のVCM = 1500ボルト
•高速:10のMBd典型的
•互換性があるTTL
•温度上の保証されたACおよびdcの性能:-40°Cへの+105°C
•10 Pinワイドボディのパッケージで利用できる
•安全承認
– UL1577ごとの1分の間5000 Vrmsの承認
– CSA
適用
•高圧絶縁材
•本質的安全回路
•PCB板パワー系統の分離
•産業設備力の分離

W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ

PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物

DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

IR2110PBFの新しく、元の在庫

S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片

W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路

MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520

MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL

SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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