5AGXFB3H4F35I5プログラム可能な論理ICS Arria V GX 13688の実験室544 IOs
メーカー:
製造者
記述:
Arria V GXのシステム内プログラム可能なゲート・アレー（FPGA） IC 544 19822592 362000 1152-BBGA、FCBGAによって露出されるパッド
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
最低の実用温度:
- 40 C
最高使用可能温度:
+ 100 C
作動の供給電圧:
0.85ボルト、1.1ボルト、1.15ボルト
I/Osの数:
544入力/出力
論理配列のブロック-実験室の数:
45250
論理素子の数:
362000
ハイライト:
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
導入
5AGXFB3H4F35I5プログラム可能な論理ICS Arria V GX 13688の実験室544 IOs
- ArriaのV形章のための特徴の概要
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TSMCの28 nmの加工技術:
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Arria VのGX、GT、SXおよびST 28 nm低い電力（28LP）プロセス
-
Arria VのGZ 28 nm高性能（28HP）プロセス
-
-
クラスの最も低く静的な力（500K論理素子（LEs）のためのより少なくより1.2 Wの
典型的な条件の下の85°C接続点）
-
0.85ボルト、1.1ボルト、または1.15ボルトの中心のわずかな電圧
-
熱合成のフリップ・チップBGAの包装
-
継ぎ目が無い移動のための同一のパッケージの足跡の多数装置密度
異なる装置密度の間
-
加鉛（1）の、無鉛（Pbなし）、およびRoHS迎合的な選択
-
4つの記録が付いている高められた8入力ALM
-
改良される混雑を減らし、蓄積の時間を改善するために建築を導く
-
柔らかいエラー修正 コード（ECC）のM10K 10キロビット（Kb）のメモリ ブロック（唯一のArria V GX、GT、SXおよびST装置）
-
堅いECC （唯一のArria V GZ装置）のM20K 20 Kbのメモリ ブロック
-
記憶論理配列のブロック（MLAB） - 640ビットはできるLUTRAMを配った
MLABの記憶として施しの使用50%まで
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