TXS0102DCURの安い非逆になる集積回路の破片部分的な力モード操作
指定
供給電圧-分:
1.65 V
最高供給電圧-:
3.6 V
最低の実用温度:
- 40 C
最高使用可能温度:
+ 85 C
下位範疇:
論理ICS
単位重量:
0.000339 oz
ハイライト:
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
導入
TXS0102DCURのプログラム可能な論理ICSの電圧レベルの2ビット二方向電圧レベルTRANS
1特徴
- 方向制御信号は必要としなかった
- 最高のデータ転送速度
- – 24 Mbps (プッシュ プル)
- – 2 Mbps (開いた下水管)
- テキサス・インスツルメントNanoStarTMのパッケージで利用できる
- 1.65Vto3.6VonAPortand2.3Vto5.5VonB港(VCCAの≤ VCCB)
- VCC分離の特徴:どちらかのVCC入力がGNDにあれば、港は両方ともHigh-Impedance州にある
- 必須パワー供給の配列無し:VCCAかVCCBは最初に増やことができる
- Ioffは部分的力モード操作を支える
- Latch-Upの性能はJESD 78のクラスごとの100 mAをII超過する
2つの適用
-
I2C / SMBus
-
UART
-
GPIO
3記述
この安い非逆になる訳者は二方向の電圧レベルの訳者で、混合され電圧システム間のデジタル交換の両立性を確立するのに使用することができる。それはVCCBの供給を追跡する間、VCCAの供給を追跡する、および2.3ボルトからの5.5ボルトに作動の電圧を支えていてBの港が使用する間、1.65ボルトからの3.6ボルトに作動の電圧を支えるAの港2つの別々の構成可能のパワー供給の柵を。これは1.8-V、2.5-V、3.3-Vおよび5-V電圧ノードの何れか間の二方向翻訳機能を提供している間より低く、より高い論理の信号レベルのサポートを可能にする。
出力可能にしなさい時(OE)入力はかなりパワー供給の静止消費電流を減らすhigh-impedance州に低い、すべてのI/Os置かれる。
か力保障するためにはの上の力の間にhigh-impedance州を、OEはpulldownの抵抗器を通したGNDに結ばれるべきである;抵抗器の最小値は運転者の現在調達の機能によって定められる。
装置情報
部品番号 | パッケージ | サイズ(NOM) |
TXS0102DCT | SSOP (8) | × 2.95 mmの2.80 mm |
TXS0102DCU | VSSOP (8) | × 2.30 mmの2.00 mm |
TXS0102DQE | X2SON (8) | × 1.40 mmの1.00 mm |
TXS0102DQM | X2SON (8) | × 1.80 mmの1.20 mm |
TXS0102YZP | DSBGA (8) | × 1.90 mmの0.90 mm |
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