LMV611MF/NOPBの可聴周波電力増幅器IC操作Amps Lo Vltg、低いPwr、RRIO GEN Purp amp
audio preamplifier ic
,stereo amplifier ic chip
LMV611MF/NOPBの可聴周波電力増幅器IC操作Amps Lo Vltg、低いPwr、RRIO GEN Purp amp
1特徴
- 供給の価値:1.8 V (典型的な)
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保障された1.8-V、2.7-Vおよび5-V指定
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出力振動:
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– 600-Ω負荷が付いている柵からの80 mV
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– 2-kΩ負荷が付いている柵からの30 mV
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VCM = 200のmVの向こうの柵
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100-μA供給の流れ(チャネルごとに)
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1.4 MHz利益帯域幅プロダクト
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最高VOS = 4 mV
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温度較差:−40°Cへの+125°C
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カスタム設計するWEBENCH®力デザイナーとのLMV61xを使用して作成しなさい
2つの適用
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消費者コミュニケーション
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消費者計算
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PDAs
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可聴周波前置増幅器
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携帯用か電池式の電子機器
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供給の現在の監視
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電池の監視
3記述
LMV61x装置は単一、二重で、低電圧の、ローパワー演算増幅器(操作amps)を四つ揃えにする。彼らは低電圧の、一般目的の適用のためにとりわけ設計されている。他の重要な製品特性は1.8ボルト、柵に柵の入力、または出力、低い供給電圧、そして広い温度較差。LMV61xの入力共通モードは供給を越えて200 mVを伸ばし、出力は1.8-V供給で荷を下され、2-kΩ負荷との30 mVの内で柵に柵を振ることができる。LMV61xは100-μA (典型的な)静止流れを引いている間1.4 MHzの利益帯域幅を達成する。
−40°Cに125°Cの温度較差産業とLMV61xが設置条件緩和機構の塗布の広い範囲を収容するようにする。
LMV611はスペース節約8ピンVSSOPおよびSOICのパッケージの小さい5ピンSC70パッケージ、LMV612、および14ピンTSSOPおよびSOICのパッケージのLMV614で提供される。これらの小型パッケージのアンプは最低PCBの足跡を要求する適用のための理想的な解決を提供する。区域によって強いられるPCBの条件の適用は携帯用および電池式の電子工学を含んでいる。
装置情報
部品番号 |
パッケージ |
サイズ(NOM) |
LMV611 |
SOT-23 (5) |
× 2.92 mmの1.60 mm |
SC70 (5) |
× 2.00 mmの1.25 mm |
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LMV612 |
VSSOP (8) |
× 3.00 mmの3.00 mm |
SOIC (8) |
× 4.90 mmの3.91 mm |
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LMV614 |
TSSOP (14) |
× 5.00 mmの4.40 mm |
SOIC (14) |
× 8.64 mmの3.90 mm |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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