LM5109BMAX/NOPB力道管理ICゲートの運転者のこんにちはVtg 1Aのピーク半分橋ゲートDvr
メーカー:
製造者
記述:
半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
包装:
テープを切りなさい
高さ:
1.45 mm
長さ:
4.9 mm
実用温度範囲:
- + 125 Cへの40 C
技術:
Si
幅:
3.9 mm
ハイライト:
power management integrated circuit
,microchip battery management
導入
LM5109BMAX/NOPB力道管理ICゲートの運転者のこんにちはVtg 1Aのピーク半分橋ゲートDvr
1特徴
- ドライブ高側および低側のN-Channel MOSFET両方
-
1-Aピーク出力の流れ（1.0-A流しおよび1.0-A源）
-
独立したTTLおよびCMOSと互換性がある入力
-
108-V DCへのブートストラップの供給電圧
-
速い伝播時間（典型的な30 ns）
-
15 ns上昇および落下時間のドライブ1000 pFの負荷
-
優秀な伝搬遅延の一致（典型的な2 ns）
-
供給の柵の不足電圧閉鎖
-
低い電力の消費
-
8 Pin SOICおよび熱高められた8 Pin WSONのパッケージ
2つの適用
-
現在連邦機関のプッシュ プル コンバーター
-
半および全橋周波数変換装置
-
ソリッド ステート モーター ドライブ
-
2スイッチ前方周波数変換装置
3記述
LM5109B装置は同期木びき台または半橋構成の高側そして低側のN-channelのMOSFETsを両方運転するように設計されている費用効果が大きい、高圧ゲートの運転者である。浮遊高側の運転者は柵の電圧90までV.を使用することができる。出力は費用効果が大きいTTLおよびCMOS互換性がある入力境界と独立制御。強く水平な転位の技術は操作量の論理から高側のゲートの運転者への高速で作動し低い電力を消費して間、きれいで水平な転移を提供する。不足電圧閉鎖は低側および高側の力の柵両方で提供される。装置は8ピンSOICおよび熱的に高められた8ピンWSONパッケージで利用できる。
装置情報
|
部品番号 |
パッケージ |
サイズ（NOM） |
|
LM5109B |
SOIC （8） |
× 4.90 mmの3.91 mm |
|
WSON （8） |
× 4.00 mmの4.00 mm |
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