BQ2057WSNTR BQ2057WTSTR力道管理IC電池管理李イオンLDO線形充満管理IC
power management integrated circuit
,microchip battery management
BQ2057WSNTR BQ2057WTSTR力道管理IC電池管理李イオンLDO線形充満管理IC
特徴
単一にとって理想的なD （4.1個のボルトか4.2 V）および二重細胞（8.2ボルトか李ポールの8.4のV）李イオンまたはパック
Dは外的な部品の小さい数を要求する
最小になる熱放散のためのD 0.3 Vのドロップアウトの電圧
D前もって調整された電圧のよいより±1%の電圧調整の正確さ
充満時間を減らす電池のパックの内部インピーダンスのD AutoComptの動的補償
Dの充満の前および最中の任意細胞温度の監視
Dはプログラム可能な充満現在および高か低側の現在の感知を用いる電圧そして現在の規制を統合した
Dは深く排出された細胞を復興させ、充満の最初の段階の間に熱放散を最小にするために調節する細胞を統合した
単一か二重導かれたまたは上位演算処理装置インターフェイスのためのD充満状態の出力
Dの自動電池再充電の特徴
最低の流れによるD充満終了
VCCが取除かれる場合のDの自動ローパワー休眠モード
速い評価のために利用できるD EVMs
Dの包装:8 Pin SOIC、8 Pin TSSOP、8 Pin
記述
BENCHMARQ bq2057シリーズ高度リチウム イオン（李イオン）およびリチウム ポリマー（李ポール）線形充満管理ICは要された敏感な、密集した携帯用電子工学のために設計されている。それらは高精度な流れおよび電圧調整の調節する、温度モニタリング、充満終了、充満状態の徴候および単一8ピンICのAutoCompの充満レートの電池を補償結合する。MSOP、TSSOPおよびSOICのパッケージの選択は終わりの塗布の広い範囲に合うために提供される。
bq2057は外的なサーミスターを使用して絶えず電池の温度を測定する。安全のために、bq2057は電池の温度がユーザー定義の境界の内にあるまで充満を禁じる。bq2057はそれから3段階の電池を満たす:調節、一定した流れおよび一定した電圧。電池の電圧が低電圧の境界の下にあれば、V （分）、電池を調節する低い流れを使用してbq2057前充満。調節充満率は規則の流れのおよそ10%である。調節の流れはまた充満の最初の段階の間に外的なパスの要素の熱放散を最小にする。調節の後で、bq2057は電池に一定した流れを加える。外的な感覚抵抗器は流れを置く。感覚抵抗器は付加的な部品なしで電池の高くか低い側面である場合もある。一定現在の段階は電池が充満規則の電圧に達するまで続く。
bq2057はそれから一定電圧段階始まる。電圧調整の正確さは作動温度および供給電圧範囲に±1%よりよい。単一および二重細胞のために、bq2057は4つのfixed-voltage版で提供される:4.1 V、4.2ボルト、V. 8.2のVつ、そして8.4の充満終了の境界、I （言葉）へのCharge停止場合の現在の先を細くすること。bq2057は電池の電圧がV （RCH）の境界の下で下れば充満を自動再始動。
デザイナーはまた時間を満たすことを減るのにAutoCompの特徴を使用するかもしれない。この専有技術は充満の間に電池のパックの内部インピーダンスのための安全な、動的補償を可能にする。
利用できる選択
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TA |
パッケージ |
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充満正規の電圧 |
SOIC （SN） |
TSSOP （TS） |
MSOPの† （DGK） |
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−20°Cへの70°C |
4.1 V |
利用できない |
bq2057TS |
bq2057DGK |
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4.2 V |
bq2057CSN |
bq2057CTS |
bq2057CDGK |
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8.2 V |
利用できない |
bq2057TTS |
利用できない |
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8.4 V |
bq2057WSN |
bq2057WTS |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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