power management integrated circuit
,microchip battery management
TPS650940A0RSKR力道管理IC PMIC ETNAページ1.0 -アポロ プラットホーム
1特徴
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WideVIN rangefrom5.6Vto21V
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同期3可変的出力電圧
D-CAP2TMの地勢学の軽減するコントローラー
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– BUCK1 (VNN)のための5 A、BUCK6 (VDDQ)のための7 A、
そして外面を使用してBUCK2 (VCCGI)のための21 A
典型的な適用のためのFETs
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– I2Cの動的電圧スケーリング(DVS)制御
(0.5ボルトから10 mVステップの1.45ボルト) BUCK1のために
BUCK2
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– OTPプログラム可能なデフォルトの出力電圧のための
BUCK6 (VDDQ)
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同期3可変的出力電圧
dcs制御の地勢学およびI2C DVSの機能の軽減するコンバーター
– VIN rangefrom4.5Vto5.5V
– BUCK3 (VCCRAM)のための出力電流の3 A – BUCK4 (V1P8A)のための出力電流の2 A
2つの適用
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2、3、または4シリーズ細胞リチウム イオン電池式プロダクト(NVDCか非NVDC)
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12-V供給からの壁動力の設計、特に
•DDRの記憶終了のためのVTT LDO
•たくさんの速度制御を用いる3つの負荷スイッチ–電圧低下との出力電流の400までmAわずかな入力電圧のより少なくより1.5%
– RDSON < 96="" m=""> •I2Cインターフェイス(デバイス・アドレス0x5E)サポート:
–標準的なモード(100つのkHz) –速いモード(400のkHz)
–速いモードと(1つのMHz)•タブレット、UltrabookTMおよびノート パソコン•移動式PCおよび移動式インターネット デバイス
3記述
TPS65094装置は2S、3S、または4S李イオン電池のパック(NVDCか非NVDC力の建築)、また壁動力の適用を使用して統合された破片(PMIC)がタブレットのために目標とされたIntelTM最も最近のプロセッサのためにとりわけ設計した単一チップ解決、パワー管理ultrabooks、ノート、産業PCおよびインターネットの事(IOT)の塗布である。TPS65094装置は最も小さい足跡および低価格のシステム力の解決のために併合する低電圧の柵が付いている必要なシステムのために使用される。TPS65094装置はIntelの参照の設計に基づいて完全な力の解決を提供する。6つの非常に能率的な軽減する電圧安定器(VRs)、流しまたは源LDO (VTT)、および負荷スイッチはパワーアップ シーケンスの論理によって適切な力の柵を制御され、提供するために、そしてDDR3およびDDR4記憶力保護を含んで配列する。接続されたスタンバイのためのサポート効率を含む最高のための2つの調整装置(BUCK1およびBUCK2)サポート動的電圧スケーリング(DVS)。小さい解決のサイズを達成するVRsの高周波使用小さい誘導器およびコンデンサー。I2Cインターフェイスは埋め込み式コントローラ(欧州共同体)によってまたは破片(SoC)のシステムによって簡単な制御を可能にする。
PMICは板旅程のよい熱消滅そして容易さのための熱パッドが付いている8 mm × 8 mmの単一列VQFNのパッケージ入って来。
装置情報
部品番号 |
パッケージ |
サイズ(NOM) |
TPS65094 |
VQFN (64) |
× 8.00 mmの8.00 mm |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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