平行出口8ビット シフト レジスタ74HC595からの連続のSOP16連続
Parallel Out 8 Bit Shift Register
,8 Bit Shift Register 74HC595
,SOP16 Parallel Out Shift Register
74HC595D SOP16 74HC595のspo SN74HC595DT SMD IC
SN74HC595D SOP16 74HC595D 74HC595 SN74HC595DR SMDのlogika ICのoryginał
74HC595;74HCT595
出力が付いている連続で、連続または平行8ビット シフト レジスタ
掛け金;3州
74HC595BQ、115 74HC595D、112 74HC595DB、112 74HC595DB、118 74HC595D、118 74HC595N、112
74HC595PW、112 74HC595PW、118 74HCT595BQ、115 74HCT595D、112 74HCT595DB、112 74HCT595DB、118
74HCT595D、118 74HCT595N、112 74HCT595PW、112 74HCT595PW、118 74HC595PW/AUJ
74HC595;74HCT595は8ビット貯蔵を用いる連続の/連続か平行シフト レジスタである
記録および3州の出力。転位におよび記憶レジスタに両方別の時計がある。装置
連続入力（DS）および連続出力（Q7S）を滝のように落ちることおよび非同期を可能にするために特色にする
再調節された氏入力。氏の低速はシフト レジスタを再調節する。データは低にの高さで移る
SHCPの入力の転移。シフト レジスタのデータは記憶レジスタに移る
STCPの入力の低にの高さの転移。時計が両方とも一緒に接続されれば、転位
記録は記憶レジスタに先んじる1つのクロック パルス常にである。記憶レジスタのデータ
出力が入力（OE）を低い可能にする時はいつでも出力にようである。OEの最高により引き起こす
high-impedanceオフ状態を仮定する出力。OEの入力の操作は影響を与えない
記録の状態。入力はクランプ ダイオードを含んでいる。これは現在の制限抵抗器の使用を可能にする
入力をVCC以上電圧にインターフェイスさせるため。
特徴
2.0からの6.0ボルトへの広い供給電圧の範囲
•CMOSの低い電力の消滅
•高いノイズ耐性
•8ビット連続入力
•8ビット連続か平行出力
•3州の出力が付いている記憶レジスタ
•直接ゆとりが付いているシフト レジスタ
•頻度100つのMHzの（典型的な）転位の
•Latch-upの性能はJESD 78のクラスごとの100 mAをII水平なB超過する
•JEDECの標準に従う:
•JESD8C （3.6 V）への2.7ボルト
•JESD7A （6.0 V）への2.0ボルト
•入力レベル:
•74HC595のため:CMOSのレベル
•74HCT595のため:TTLのレベル
•ESDの保護:
•HBM JESD22-A114Fは2000ボルトを超過する
•MM JESD22-A115-Aは200ボルトを超過する
•多数のパッケージの選択
•-40 °C +85 °Cにと-40 °Cから+125 °Cに指定される
適用
連続に平行データ変換
•リモート・コントロール保持レジスター
発注情報
| タイプ数 | 名前 | 記述 | 版 |
| 74HC595D | SO16 | プラスチック小さい輪郭のパッケージ;16の鉛; ボディ幅3.9 mm |
SOT109-1 |
| 74HCT595D | SO16 | プラスチック小さい輪郭のパッケージ;16の鉛; ボディ幅3.9 mm |
SOT109-1 |
| 74HC595PW | TSSOP16 | プラスチック薄い収縮の小さい輪郭のパッケージ;16の鉛; ボディ幅4.4 mm |
SOT403-1 |
| 74HCT595PW | TSSOP16 | プラスチック薄い収縮の小さい輪郭のパッケージ;16の鉛; ボディ幅4.4 mm |
SOT403-1 |
| 74HC595BQ | DHVQFN16 | プラスチック二重インライン多用性がある上昇温暖気流は高めた まさに薄いクォードの平らなパッケージ;鉛無し;16台のターミナル; ボディ2.5 × 3.5の× 0.85 mm |
SOT763-1 |
| 74HCT595BQ | DHVQFN16 | プラスチック二重インライン多用性がある上昇温暖気流は高めた まさに薄いクォードの平らなパッケージ;鉛無し;16台のターミナル; ボディ2.5 × 3.5の× 0.85 mm |
SOT763-1 |
| 74HC595BZ | DHXQFN16 | プラスチックの、無鉛の二重インライン多用性がある上昇温暖気流 高められた極度で薄いクォードの平らなパッケージ; 鉛無し;16台のターミナル;0.4 mmピッチ; ボディ× 2つのmmの× 2.4 mmの0.48 mm |
SOT8016-1 |
| 郵送物 |
| 1. 私達はすべての世界プロダクトを出荷してもいい。 |
| 2. DHLは、Federal Express、TNT、UPS、EMSのポスト、香港のポストすべて利用できる。 |
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| 4. 項目の値をつけるときあなたの送付先住所および接触の電話番号が正しいことを確かめなさい。 |
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| 輸入税か義務 |
| 1. 輸入関税、税および他の充満は項目の価格にあなたの側面で含まれていない起こった。これらの料金はバイヤーによってできられる。 |
| 2. あなたとこれらの追加料金が購入の前にであるもの定める国の税関事務所を点検しなさい。 |
| 3. 配達インボイスについての詳細情報を確認した。例えばどの位価格を私達が乗客名簿のインボイスべきである、または項目、等を記述する方法を書く… |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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