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STD4NK100Zの集積回路はNチャネル1000V 2.2A (Tc)の90W (Tc)表面の台紙DPAKを欠く

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 1000 V 2.2A (Tc)の90W (Tc)表面の台紙DPAK
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウエスタンユニオン
指定
製造業者::
STMicroelectronics
記述:
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
パッケージ/場合:
TO-252-3
詳細な説明:
N-Channel 1000 V 2.2A (Tc)の90W (Tc)表面の台紙DPAK
シリーズ:
、AEC-Q101、SuperMESH™自動車
ハイライト:

DPAKの集積回路の破片

,

Nチャネルの集積回路の破片

,

STD4NK100Z

導入

特徴

•自動車適用およびAEC-Q101のために設計されていて修飾した

•非常に高いdv/dtの機能

•100%のなだれはテストした

•最小になるゲート充満

•非常に低く本質的なキャパシタンス

•Zener保護される

製品特質

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
1000ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
2.2A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
10V
(最高) @ ID、VgsのRds
6.8Ohm @ 1.1A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
4.5V @ 50µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
18 NC @ 10ボルト
Vgs (最高)
±30V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
601 pF @ 25ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
90W (Tc)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
DPAK
パッケージ/場合
TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63
基礎プロダクト数
STD4NK100
環境及び輸出分類
属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 1 (無制限)
範囲の状態 変化しないに達しなさい
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

私達の会社の利点
1. 私達は集積回路(IC)の電子部品で専門、特に、私達元および良質のほとんどいろいろな種類のICを供給してもいいである。
2.大きい在庫:私達に私達のいろいろな種類の異なったプロダクトのための大きい在庫があり、また標準的なプロダクトで限られるMOQがない。
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STD4NK100Zの集積回路はNチャネル1000V 2.2A (Tc)の90W (Tc)表面の台紙DPAKを欠く

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FAQ

Q1:私達はどんな会社に属するか。
A1:私達は製造業者および貿易業者である。
Q2:どの位私達の受渡し時間はあるか。
A2:これはあなたが発注した量の商品によって、私達持っている標準的、通常15-20幾日の受渡し時間決まる。
Q3:命令する方法か。
A3:あなたの順序か要求を私達に郵送し、私達に次の情報を言いなさい:出荷の細部、会社名を含んで、住所、人、電話番号、量。
Q4:何割引がプロダクトを発注するために利用できるか。
A4:あなたの要求を私達に与える限り、私達は最もよい価格を与える。

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