BSC320N20NS3GコンピュータICはトランジスターFETsのMOSFETsの単一のN-Channelを欠く
MOSFETsコンピュータICは欠ける
,N-ChannelコンピュータICは欠ける
,BSC320N20NS3G
特徴
•N-channel、normallevel
•ExcellentgatechargexRDS （）プロダクト（FOM）
•Verylowon-resistanceRDS （）
•Pbfreeleadplating;RoHScompliant
•QualifiedaccordiCM GROUPoJEDEC1） fortargetapplication
•ハロゲンfreeaccordiCM GROUPoIEC61249 2 21
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
製品特質
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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200ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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36A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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32mOhm @ 36A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 90µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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29 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2350 pF @ 100ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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125W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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PG-TDSON-8-1
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パッケージ/場合
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8-PowerTDFN
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基礎プロダクト数
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BSC320
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| 属性 | 記述 |
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| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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