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MC14584BDR2Gの電子工学のサーキット ボードは統合された半導体をプログラムした

メーカー:
製造者
記述:
インバーターIC 6チャネルのSchmittの制動機14-SOIC
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
DCの供給電圧:
+18.0ボルトへの−0.5
入力または出力電圧:
−0.5へのVDD + 0.5ボルト
入力または出力電流:
±10 mA
パッケージ1個あたりの電力損失、:
500 MW
周囲温度:
+125 °Cへの−55
保管温度:
+150 °Cへの−65
ハイライト:

electronic chip board

,

electronic components ic

導入

MC14584BDR2Gの電子工学のサーキット ボードは統合された半導体をプログラムした

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
NJM2575F1 6533 JRC 05+ SOT23-6
NJM2902M 76000 JRC 16+ SOP-14
NJM4565D 62000 JRC 16+ SOP-14
NJM4565M 78000 JRC 13+ SOP-8
NJM4741D 5137 JRC 13+ DIP-14
NJM4741M 6091 JRC 16+ SOP-14
NJW0302G/NJW0281G 5000 16+ TO-3P
NLCV32T-3R3M-PF 8000 TDK 06+ SMD
NLFC322522T-100K-PF 12000 TDK 08+ SMD
NLFC322522T-2R2M-PF 20000 TDK 08+ SMD
NPCE781LAODX 2831 NUVOTON 10+ QFP
NR6028T4R7M 79000 TAIYO 11+ SMD
NR6045T6R3M 53000 TAIYO 14+ SMD
NRF24L01 5018 北欧人 16+ QFN20
NRF51822-QFAA 7026 北欧人 16+ QFN48
NSR0230P2T5G 140000 14+ SOD-923
NSR0340V2T1G 21000 12+ SOD-523
NT5DS16M16CS-6K 7077 NANYA 09+ TSOP-66
NT5DS64M8CS-5T 4011 NANYA 16+ TSOP-66
NTD3055L104T4G 20220 16+ TO-252
NTD5802NT4G 19297 14+ TO-252
NTD5865NLT4G 60000 14+ TO-252
NTF3055-100T1G 16102 15+ SOT-223
NTF3055L108T1G 11716 15+ SOT-223
NTF3055L175T1G 16173 09+ SOT-223
NTMD4820NR2G 15124 13+ SOT-8
NTR1P02LT1G 143000 05+ SOT-8
NTR2101PT1G 27000 07+ SOT-23
NTR4501NT1G 76000 15+ SOT-23
NTUD3169CZT5G 11787 16+ SOT-963

MC14584B

Schmittの六角形の制動機

MC14584B六角形のSchmittの制動機はMOS P−channelおよび単一の単一構造のN−channelの強化モード装置によって組み立てられる。これらの装置は低い電力の消滅や高いノイズ耐性が望まれる第一次使用を見つける。MC14584BはMC14069UB六角形のインバーターの代わりに使用される高められたノイズ耐性がゆっくり変更の波形を「」平方することができるようにかもしれない。

特徴

•供給電圧の範囲= 3.0 Vdcから18 Vdc

•評価される温度較差上のLow−power 2つのTTLの負荷かLow−power 1つのショットキーTTLの負荷を運転することができる

•すべての入力の二重ダイオードの保護

•MC14069UBを取り替えるのに使用することができる

•より大きいヒステリシスのために、CD40106BおよびMM74Cl4のためのPin−for−Pinの取り替えであるMC14106Bを使用しなさい

•Pb−Freeのパッケージは利用できる

最高の評価(VSSに参照される電圧)

記号 変数 価値 単位
VDD DCの供給電圧の範囲 +18.0への−0.5 V
Vin、Vout 入力または出力電圧範囲(DCかトランジェント) −0.5へのVDD + 0.5 V
Iin、Iout Pinごとの入力または出力電流(DCかトランジェント) ±10 mA
PD パッケージ(ノート1) 1個あたりの電力損失、 500 MW
TA 周囲温度の範囲 +125への−55 °C
Tstg 保管温度の範囲 +150への−65 °C
TL 鉛の温度(8−Secondはんだ付けすること) 260 °C

最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。

1. 軽減する温度:

プラスチック「PおよびD/DW」のパッケージ:– 65°Cからの125°Cへの7.0 mW/°C

この装置は高く静的な電圧か電界による損傷に対して守るために保護回路部品を含んでいる。但し最高がこのhigh−impedance回路に電圧を評価したより高いあらゆる電圧の適用を避けるために、注意は取られなければならない。適切な処理のために、VinおよびVoutは範囲VSS (VinかVout) VDDに強いられるべきである。

未使用の入力は適切な論理の電圧レベルに常に結ばれなければならない(例えば、VSSVDD)未使用の出力は開いた残っていなければならない。

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