TIL117M 電子部品 集積回路チップ プログラムメモリ
指定
温度範囲:
-40から+150 °C
支払期間:
T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
電圧:
7V
現在:
1.5A
パッケージ:
DIP-6
工場パッケージ:
トゥーブ
ハイライト:
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
導入
TIL111M,TIL117M,MOC8100M
一般用途 6ピン光トランジスタ光結合器
特徴
■ UL認定 (ファイル#E90700)
■ VDE 認定 (ホワイトパッケージのファイル#102497)
選択肢Vを追加 (TIL111VMなど)
一般説明
MOC8100M,TIL111M,TIL117Mの光結合器は,ガリウムアルセニド赤外線発射ダイオードで構成され,6ピンのダブルインラインパッケージ内のシリコン光トランジスタを駆動する..
申請
■ 電源調節器
■ デジタル論理入力
■ マイクロプロセッサの入力
■ 機器のセンサーシステム
■ 産業用制御
絶対最高格付けは1 |
TSTG 保存温度 すべて -40 °C から +150 °C
TOPR 動作温度 すべて -40 °C から +100 °C
TSOL 鉛溶融温度 10秒間すべて 260 °C
PD 装置の総電源分散 @ TA = 25°C
25°C以上の低温 250 mW すべて 2.94 mW/°C
EMITTER IF DC/平均前向き入力電流 すべての60 mA VR逆向き入力電圧
TIL111M 3 V MOC8100M,TIL117M 6 IF ((pk)
前向き電流 峰 (300μs, 2% 作業サイクル) 全3APD
LED電力の分散 @ TA = 25 °C 25°C以上
全120mW 1.41mW/°C
|
ストックの一部
ERA-5SM+ | 78L08 |
IRG4BC20UD | BUH515D |
24LC256-I/SN | ST1S10PHR |
AN7812 | MDM9615M |
OP747ARUZ | 88E111-B2-NDC2I000 |
ATXMEGA64D3-AU | ADCLK907BCPZ について |
TLP281-4 | ADP1741ACPZ について |
25LC1024-I/P | WS9221B |
STK404-130S | LMR62014XMF |
LM431BCM3X | LM2731XMFX |
TLV61225DCKR | LM2731XMFX |
AM28F010A-90JC | MAX14588ETE+ |
BTS141 | AT24C02D-SSHM-T |
BTS2140-1B | PIC16F877-04/PT |
1034SE001 | CX240DS |
30023* | DLW21SN900SQ2L |
30520* | NLV32T-100J-PF |
30536* | AOZ1282CI |
30639* | AOZ1282CI |
NTB60N06T4G | TLE4275KVURQ1 |
VND810SP | TLE4275KVURQ1 |
L9147P | MBRX160-TP |
APIC-S06 | PS21765 |
FM28V020-SGTR | KIA78R05PI-CU/P |
M24256-BWDW6TP について | £3500 |
MCP6002T-I/MS | AD7865ASZ-1 |
MCP6004T-I/ST | REF02AZ/883 |
BAS40DW-04-7-F | SNJ54HCT14TK |
LM317LIPK | REF01AZ/883 |
HA16107P | LPC2294HBD144 治療法について |
UPC812G | AD620SQ/883B |
DS26LS31CM | M24128-BWMN3TP/P |
DS26LS32ACM | LT1354CN8 |
M5195BFP | AQW254 |
SN751178NS | TP4056 |
AD8056ARZ | LNK302DG |
SN74LV245APWR | LNK302DG |
SN74LV244ANSR | FB423226T-Y7 |
TC4049BF | FM24CL16-G |
D2SB60 | NJM3404AV-TE1 |
DS90CF363BMT | NJM2119M |
SN74AC74DR | TMS320VC5402PGE100 |
SKN240/12 | MC1350DR2 |
MPU-6050 | LIS331DLHTR |
関連製品
MT9D131C12STC-DP 新しくオリジナルのストック
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
AR0330CS1C12SPKA0-CP フラッシュメモリIC 新品とオリジナルストック
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
BAT54HT1G 電子ICチップ 新品とオリジナルストック
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
BAT54SLT1G 電子ICチップ 新品とオリジナルストック
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54A 電子ICチップ 新品とオリジナルストック
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ブリッジ型直導ダイオード 1N4007 50~1000ボルト 1.0 アンペア
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
シリコンガラス 消極化 1.0 ワット ゼーナーダイオード ガラス 消極化交差点 シリコンゼーナーダイオード 1n4733A
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
NDT456P 矯正ダイオード Pチャネル増強モード フィールド効果トランジスタ
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
TIP127 新しい原産物
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
MT9D131C12STC-DP 新しくオリジナルのストック |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
||
AR0330CS1C12SPKA0-CP フラッシュメモリIC 新品とオリジナルストック |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
||
BAT54HT1G 電子ICチップ 新品とオリジナルストック |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
||
BAT54SLT1G 電子ICチップ 新品とオリジナルストック |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
||
BAT54A 電子ICチップ 新品とオリジナルストック |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
||
ブリッジ型直導ダイオード 1N4007 50~1000ボルト 1.0 アンペア |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
||
シリコンガラス 消極化 1.0 ワット ゼーナーダイオード ガラス 消極化交差点 シリコンゼーナーダイオード 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
||
NDT456P 矯正ダイオード Pチャネル増強モード フィールド効果トランジスタ |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
||
TIP127 新しい原産物 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs