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ブリッジ型直導ダイオード 1N4007 50~1000ボルト 1.0 アンペア

メーカー:
ON 半触媒 半触媒
記述:
穴DO-41を通したダイオード1000 V 1A
部門:
電子部品
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
パッケージ:
DO-41
梱包:
5000pcs/Box
郵送物:
DHL、Federal Express、TNT、EMS等
現在:
1.0A
温度:
-55から+150 ℃
電圧:
50-1000V
ハイライト:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

導入

ブリッジ型直導ダイオード 1N4007 50~1000ボルト 1.0 アンペア

特徴

低層構造

前向きの低電圧低下

低逆流出 高い前向きの電流能力

高温溶接が保証される

260°C/10秒/.375°C (9.5mm) 5ポンド (2.3kg) のストレージでリードLeCMGROUPh

メカニカルデータ

ケース: 移転型プラスチック

poxy: UL94V-O レートの炎阻害剤

極性: カラー帯はカソード端を表す

鉛:MIL-STD-202E方法208Cに従って溶接可能で,軸性鉛を塗装した

設置位置:任意

体重:0.012 オンス,0.33 グラム

最大評価値と電気特性

異なる規定がない限り,環境温度の25°Cで指定される. 単相,半波,60Hz,レジスティブまたはインダクティブ負荷. 容量負荷の 20%の電流減速.

最大RMS電圧 シンボル 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 ユニット
最大DCブロック電圧

Vrm

50 100 200

400

600 800 1000 V
最大前向き直線電流平均0.375 (9.5mm) リードleCMGROUPh VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V
定位負荷に重なり合わせた8.3mS単半シナス波 (JEDEC方法) VDC 50 100 200 400 600 800 100 V
最大瞬時の前向き電圧 @ 1.0A (Av) 1.0 A について

最大直流逆転TA = 25°C

定位電流 DCブロックTA=100V部品単位の電圧

IFSM 5.0 μA
Vf 50 μA
最大全負荷逆電流,全サイクル平均0.375 (9.5mm) TL=75°CでリードleCM GROUPh イー 30 μA
典型的な交差点容量 (注1) C についてj 13 μA
典型的な熱抵抗 (2注) RθJA 50 °C/w
動作交差点温度範囲 Tj -55から+150 °C
貯蔵温度範囲 TSTG -55から+150 °C

注記:

11.0MHzで測定され,4.0VDCの逆電圧が適用されます.

2各端末に6.0mm2の銅パッドの端末への接続から熱抵抗.

3チップのサイズは40mm×40mm

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