MOC3063アンプICの破片の集積回路の破片6 Pinのすくいのゼロ十字のオプティカルアイソレータのトライアックの運転者の出力
digital integrated circuits
,linear integrated circuits
6 Pinすくいのゼロ十字のオプティカルアイソレータのトライアックの運転者の出力
(600ボルトは最高になる)
MOC3061、MOC3062およびMOC3063装置は光学的に両側のあるトライアックの運転者を交差させるゼロ電圧の機能を行う単一ケイ素の探知器につながれるダイオードを出すガリウム砒素の赤外線から成っている。
彼らは115/240 Vacラインから、半導体継電器のような、産業制御、モーター、ソレノイドおよび消費者電気器具、等動力を与えられる装置への論理システムのインターフェイスのトライアックとの使用のために設計されている。
•力115/240 Vacのの論理制御を簡単にする
•ゼロ電圧交差
•典型的な1500 V/µsのdv/dtは600 V/µs保証した
•VDE 0884の条件ごとにテストされ、印が付いている装置を発注するためには、接尾辞「V」は部品番号の端に含まれていなければならない。VDE 0884はテスト選択である。
115/240 Vac (rms)の適用のために推薦される:
•ソレノイド/弁制御
•温度調整
•制御をつけること
•E.M. Contactors
•静的な電源スイッチ
•ACモーター始動機
•ACモーター ドライブ
•半導体継電器
最高の評価
評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
赤外線出るダイオード | |||
逆電圧 | VR | 6 | ボルト |
前方流れ—連続的 | 60 | mA | |
全体の電力損失@ TA = 25°C 出力運転者の僅かな力 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
120
1.41 |
MW
mW/°C |
出力された運転者 | |||
オフ状態の出力末端の電圧 | VDRM | 600 | ボルト |
ピーク反復的なサージ電流 (PW = 100つのµs、120 pps) |
ITSM | 1 | |
全体の電力損失@ TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
150 1.76 |
MW mW/°C |
総装置 | |||
分離のサージ電圧(1) (ピークAC電圧、60のHzの1第2持続期間) |
VISO | 7500 | Vac (pk) |
全体の電力損失@ TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
250 2.94 |
MW mW/°C |
接合部温度の範囲 | TJ | – 40から+100 | °C |
包囲された実用温度範囲(2) | TA | – 40から+85 | °C |
保管温度の範囲(2) | Tstg | – 40から+150 | °C |
はんだ付けする温度(10 s) | TL | 260 | °C |
1. 分離のサージ電圧、VISOは、内蔵デバイスの絶縁破壊の評価である。1。このテストのために、ピン1および2は共通であり、ピン4、5および6は共通である。
2. テスト条件の情報に関してはOptoデータ ブックの質および信頼性セクションを参照しなさい。
パッケージ次元
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
MMSZ4683-GS08 | 20000 | VISHAY | 16+ | SOD-123 |
LM4050AIM3X-2.5 | 2515 | NSC | 15+ | SOT-23 |
MMSZ3V9T1G | 20000 | 16+ | SOD-123 | |
ZXMHC6A07T8TA | 7000 | ZETEX | 15+ | SOT223 |
ATTINY2313V-10PU | 3500 | ATMEL | 13+ | DIP-20 |
MSZ5222BT1G | 20000 | 15+ | SOD-123 | |
PIC16F1824-I/P | 5308 | マイクロチップ | 14+ | すくい |
MAX2021ETX+T | 7500 | 格言 | 15+ | TQFN |
LT6231CS8 | 4482 | LT | 15+ | SOP |
LT1399CS#PBF | 9686 | 線形 | 11+ | SOP-16 |
L6207D | 1915年 | ST | 14+ | SOP24 |
BH7868FS-E2 | 7500 | ROHM | 08+ | SSOP32 |
PCA8575DB | 11920 | 14+ | SSOP | |
LT1678CS8 | 6462 | 線形 | 16+ | SOP-8 |
MAC223A10 | 9327 | 10+ | TO-220 | |
PIC16F72-I/SP | 5003 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
LM34DZ | 2594 | NSC | 14+ | TO-92 |
MJD122T4G | 38000 | 16+ | TO-263 | |
MC7815BDTRKG | 7776 | 15+ | TO-252 | |
PDIUSBD12PW | 3740 | 16+ | TSSOP | |
CY7C65642-48AXC | 1574 | CYPRESS | 15+ | TQFP48 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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