メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

メーカー:
製造者
記述:
47Vクランプ3A (8/20µs) Ipp TVのダイオードの表面の台紙USC
部門:
電子ICの破片
価格:
To be negotiated
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
PN:
DF2B29FUH3F
ブランド:
東芝
原物:
日本
タイプ:
TVのダイオードESDの保護ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面
電圧:
24VWM 47VC
パッケージ:
SOD323
ハイライト:

47V ESD Protection Diodes

,

24VWM ESD Protection Diodes

,

TVS Silicon Epitaxial Planar Diodes

導入

DF2B29FUH3F TVSダイオード 24VWM SOD323 47VCESD 保護ダイオード シリコン エピタキシアル 平面

1申請について• 医療機関ESD 保護
注:この製品は,静電性放電 (ESD) に対する保護のために設計されており,他の用途には使用されません.
目的は,電圧調節を含むが,それだけに限らない.
2特徴
(1) AEC-Q101 合格 (注1)
注記1:
詳細については,営業部に連絡してください.
注記:
高温/電流/電圧の適用と電源の供給が
温度等が著しく変化すると,この製品の信頼性が著しく低下します.
動作条件 (つまり動作温度/電流/電圧など) が絶対最大指定値に満たない場合
Toshiba半導体信頼性マニュアルをレビューして適切な信頼性を設計してください
("処理注意事項"/"減量概念と方法") と個々の信頼性データ (すなわち信頼性試験)
報告や推定失敗率など)
注記1:IEC61000-4-2に従って
注記2:ISO10605に従って (@ C = 330 pF, R = 2 kΩ)
注記3:IEC61000-4-5に従って
注1:IEC61000-4-5 8/20μs パルスに基づいている.
注2:TLPパラメータ:Z0 = 50Ω,tp = 100 ns,tr = 300 ps,平均値:t1 = 30 nsからt2 = 60 ns
8Aから16AまでのIPPでTLP特性の最小正方形フィットを使用して動力抵抗の抽出
注記3:設計上保証される.
関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
GTCA28-151M-R10 10KA 150V GDTの陶磁器のガス放電の管CDSS2

GTCA28-151M-R10 10KA 150V GDTの陶磁器のガス放電の管CDSS2

Gas Discharge Tube 150 V 10000A (10kA) ±20% 2 Pole Through Hole
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs