ADF7020-1BCPZ 集積回路の破片の高性能FSK/ASKのトランシーバーIC
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
高性能FSK/ASKのトランシーバーIC ADF7020-1
特徴
- 低い低い電力トランシーバーなら
- 周波数帯域
- 135のMHzから650のMHzの直接出力
- 80のMHzからモード境界による2 325のMHz、
- データ転送速度は支えた
- 0.15キロビット/秒への200キロビット/秒、FSK
- 0.15キロビット/秒への64キロビット/秒は、頼む
- 2.3 Vから3.6ボルトの電源
- プログラム可能な出力電力
- −20 dBmへの63のステップの+13 dBm
- 受信機の感受性
- 1キロビット/秒、FSK、315のMHzの−119 dBm
- 9.6キロビット/秒の−114 dBm、FSK、315のMHz
- 9.6キロビット/秒の−111.8 dBmは、315のMHz頼む
- 低い電力の消費
- 17.6 mAはモードを受け取る
- 21 mAは送信するモード（10のdBmの出力）を
- オン破片VCOおよび僅かN PLL
- オン破片7ビットADCおよび温度検出器
- フル オートの周波数制御のループ（AFC）は低い許容度の水晶を補う
- デジタルRSSI
- TRx統合されたスイッチ
- 現在の漏出 <1>
適用
- 安価の無線データ転送
- 無線医学の適用
- リモート・コントロール/セキュリティ システム
- 無線にメーターで計ること
- キーレス記入項目
- ホーム・オートメーション
- プロセスおよび建物制御
概説
ADF7020-1は低い電力、低いUHFおよびVHFバンドの操作のために設計されている非常に統合されたFSK/GFSK/ASK/OOK/GOOKのトランシーバーである。ADF7020-1はユーザーが135のMHzと650のMHzの間で動作周波数をどこでも置くことを可能にする外的なVCO誘導器を使用する。divideby-2を使用して回路はユーザーが80のMHz低い装置を作動させることを可能にする。VCOの典型的なレンジは動作周波数の約10%である。完全なトランシーバーはADF7020- 1を価格に敏感で、区域に敏感な適用のために非常に適したようにする少数の外的な個別部品を使用して造ることができる。
セクションを含んでいる出力決断のVCOそして低雑音の僅かN PLLをの送信しなさい <1 ppm="">
出力電力送信機は−20 dBmからの+13 dBmに63のステップでプログラム可能である。トランシーバーRFの頻度、チャネル・スペーシングおよび調節は簡単な3を使用してプログラム可能-ワイヤー インターフェイスである。装置は2.3ボルトから3.6ボルトの電源の範囲と使用中ときの作動し、動力を与えることができる。
建築が受信機（200のkHz）、最小になるパワー消費量および外的な構成計算および干渉問題を避けることで低頻度で使用されれば低速。ADF7020-1はいろいろプログラム可能な特徴を、Rxの直線性を含んで、感受性、帯域幅なら支え、ユーザーを、適用によって消費電流のためのトレードオフの受信機の感受性そして選択率に許可する。受信機はまたパテント未決の自動周波数制御（AFC）のループを特色にし、入って来る信号の周波数エラーを補うようにPLLがする。
オン破片ADCは統合された温度検出器、外的なアナログ入力、電池の電圧、またはある適用のADCで節約を提供するRSSI信号のリードバックを提供する。温度検出器は−40°Cに+85°C.の完全な実用温度範囲上の±10°Cに正確である。この正確さは室温の1点の口径測定をし、記憶で結果を貯えることによって改善することができる。
絶対最高評価
通知がなければTA = 25°C。
| 変数 評価 |
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VDDへのGND1 −0.3 Vから+5 V GNDへのアナログ入力/出力の電圧 −0.3 VへのAVDD + 0.3ボルト GNDへのデジタル入力/出力の電圧 −0.3 VへのDVDD + 0.3ボルト 実用温度範囲 産業（B版） −40°Cへの+85°C 保管温度の範囲 −65°Cへの+125°C 最高の接合部温度 150°C MLFのθJAの熱インピーダンス 26°C/W 退潮はんだ付けすること ピーク温度 260°C ピーク温度の時間 40秒 |
1 GND = CPGND = RFGND = DGND = AGND = 0 V。
絶対最高評価の下にリストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは評価するただ圧力である;これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
この装置はESDの評価の高性能RF統合された回路のである <2 kV="">
機能ブロック ダイヤグラム
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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