40TPS12APBF 3 Pinのトランジスター トライアックの敏感なゲート
メーカー:
製造者
記述:
SCR 1.2 kV 55 A Standard Recovery Through Hole TO-247AC
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Maximum peak gate power:
10 W
Maximum average gate power:
2.5 W
Maximum peak gate current:
2.5 A
Maximum peak negative gate voltage:
10 V
Maximum junction and storage temperature:
- 40 to 125 °C
Maximum average on-state current:
35 A
ハイライト:
npn smd transistor
,silicon power transistors
導入
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| SN74ACT08PWR | 104000 | チタニウム | 10+ | TSSOP-14 |
| SN74AHC08DR | 79000 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
| SN74AHC123ADR | 12426 | チタニウム | 16+ | SOP-16 |
| SN74AHC125DR | 44000 | チタニウム | 05+ | SOP-14 |
| SN74AHC126PWR | 85000 | チタニウム | 16+ | TSSOP-14 |
| SN74AHC14DR | 35000 | チタニウム | 04+ | SOP-14 |
| SN74AHC573DWR | 15266 | チタニウム | 16+ | SOP-20 |
| SN74AHCT245DWR | 15976 | チタニウム | 15+ | SOP-20 |
| SN74ALVC125DR | 12497 | チタニウム | 11+ | SOP-14 |
| SN74ALVC164245DGGR | 4016 | チタニウム | 15+ | TSS0P-48 |
| SN74ALVCH162373GR | 6196 | チタニウム | 10+ | TSS0P-48 |
| SN74AUP1G14DCKR | 86000 | チタニウム | 14+ | SOT-353 |
| SN74AVC4T774PWR | 17150 | チタニウム | 16+ | TSSOP-16 |
| SN74CBT3244DWR | 6730 | チタニウム | 16+ | SOP-20 |
| SN74F374DWR | 37000 | チタニウム | 14+ | SOP-20 |
| SN74HC00N | 72000 | チタニウム | 16+ | DIP-14 |
| SN74HC05DR | 96000 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
| SN74HC157PWR | 73000 | チタニウム | 05+ | TSSOP-16 |
| SN74HC164N | 26000 | チタニウム | 16+ | DIP-14 |
| SN74HC20DR | 39000 | チタニウム | 10+ | SOP-14 |
| SN74HC21DR | 48000 | チタニウム | 97+ | SOP-14 |
| SN74HC240N | 6817 | チタニウム | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC244N | 13491 | チタニウム | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC273DWR | 8000 | チタニウム | 08+ | SOP-20 |
| SN74HC273N | 13988 | チタニウム | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC273NSR | 13562 | チタニウム | 16+ | SOP-20 |
| SN74HC32DR | 45000 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
| SN74HC32N | 74000 | チタニウム | 16+ | SOP14-5.2 |
| SN74HC373DWR | 43000 | チタニウム | 15+ | SOP-20 |
| SN74HC4040PWR | 20403 | チタニウム | 08+ | TSSOP-16 |
40TPS… APbF/40TPS… PbFの高圧シリーズ
位相制御SCR、35 A
DESCRIPTION/FEATURES
40TPS… APbFの高圧一連のシリコン制御整流素子は中型力の切換えおよび位相制御の適用のためにとりわけ設計されている。使用されるガラス不動態化の技術に信頼できる操作が125までの°Cの接合部温度ある。低いIgtは利用できる分ける。
典型的な適用は入力改正（柔らかい開始に）あり、これらのプロダクトはVishay HPPの入力ダイオード、スイッチおよび同一のパッケージの輪郭で利用できる出力整流器によって使用されるように設計されている。
このプロダクトは産業レベルのためにおよび（Pb）なしを導くために設計され、修飾された（「PbF」の接尾辞）。
主要な評価および特徴
| 変数 | テスト条件 | 価値 | 単位 |
| IT （AV） | 正弦波形 | 35 | |
| IRMS | 55 | ||
| VRRM/VDRM | 800/1200 | V | |
| ITSM | 500 | ||
| VT | 40 A、TJ = 25 °C | 1.45 | V |
| dV/dt | 1000 | V/µs | |
| dI/dt | 100 | A/µs | |
| TJ | - 40から125 | °C |
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標準的:
MOQ:
20pcs