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IRF2807 3 Pinのトランジスター、転換力mosfet ICの電子工学の集積回路

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Temperature Range:
-55°C to +170°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
10V
Current:
43A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
ハイライト:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

導入

IRF2807トランジスター抜け目がないIC集積回路の破片ICの電子工学力MOSFET

出力特徴:

lは加工技術を進めた

l超低いオン抵抗

l動的dv/dtの評価

l 175°Cの実用温度

l速い切換え

評価される十分にlなだれ

主指定:

国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。

HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。

TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。

絶対最高評価

ID @ TC = 25°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V

82の‡ ID @ TC = 100°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 58 A

脈打つIDMは現在の 280 PDを@TC = 25°C流出させる

電力損失230 Wの線形軽減は1.5 With°Cを考慮する

VGSのゲートに源の電圧± 20 V

IARのなだれの現在の 43 A

耳の反復的ななだれエネルギー 23 mJ dv/dt

ピーク ダイオードの回復dv/dt ƒ 5.9 V/ns TJ

作動の接続点そして-55への+ 175

10トルクを取付ける秒の300 (場合からの1.6mm) °CのためのTSTGの保管温度の範囲のはんだ付けする温度、6-32またはM3 srew 10のlbf•(1.1N•m)

物品目録部分

帽子0603 56PF 16V 0603N560K160CT WALSIN 16/04/27 SMD0603
C.I SP3203ECY-L/TR SIPEX 0616 TSSOP-20
C.I AT89S52-24PU ATMEL 1602 DIP-40
DIODO M7 MIC 1625 SMA
DIODO BZX84C15LT1G 1630/Y4 SOT-23
MMBD4148-7-F ダイオード 1617/KA2 SOT-23
TRANS MMBTA42LT1G 1635/1D SOT-23
DIODO.BYG20J-E3/TR VISHAY 1632 SMA
TRANS NDD04N60ZT4G 1143/A43/4N60ZG TO-252
C.I UBA3070T 1333 SOP-8
帽子0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D 村田 IA6026DP4 SMD0402
帽子0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D 村田 IA6026DP4 SMD0402
帽子0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D 村田 IA6009DI8 SMD0402
帽子ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 NANTUNG    
帽子0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T TAIYOYUDEN 1609 SMD0805
OPTO 4N25M FSC 637Q DIP-6
トライアックBT151-500R 603 TO-220

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