IRF2807 3 Pinのトランジスター、転換力mosfet ICの電子工学の集積回路
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRF2807トランジスター抜け目がないIC集積回路の破片ICの電子工学力MOSFET
出力特徴:
lは加工技術を進めた
l超低いオン抵抗
l動的dv/dtの評価
l 175°Cの実用温度
l速い切換え
評価される十分にlなだれ
主指定:
国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。
HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。
絶対最高評価
ID @ TC = 25°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V
82の ID @ TC = 100°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 58 A
脈打つIDMは現在の 280 PDを@TC = 25°C流出させる
電力損失230 Wの線形軽減は1.5 With°Cを考慮する
VGSのゲートに源の電圧± 20 V
IARのなだれの現在の 43 A
耳の反復的ななだれエネルギー 23 mJ dv/dt
ピーク ダイオードの回復dv/dt 5.9 V/ns TJ
作動の接続点そして-55への+ 175
10トルクを取付ける秒の300 (場合からの1.6mm) °CのためのTSTGの保管温度の範囲のはんだ付けする温度、6-32またはM3 srew 10のlbf•(1.1N•m)
物品目録の部分
帽子0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
DIODO BZX84C15LT1G | 1630/Y4 | SOT-23 | |
MMBD4148-7-F | ダイオード | 1617/KA2 | SOT-23 |
TRANS MMBTA42LT1G | 1635/1D | SOT-23 | |
DIODO.BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
TRANS NDD04N60ZT4G | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 | |
C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
帽子0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | 村田 | IA6026DP4 | SMD0402 |
帽子0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | 村田 | IA6026DP4 | SMD0402 |
帽子0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | 村田 | IA6009DI8 | SMD0402 |
帽子ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
帽子0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
OPTO 4N25M | FSC | 637Q | DIP-6 |
トライアックBT151-500R | 603 | TO-220 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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