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IRF3415力MOSFETの高圧力mosfet二重力mosfet

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
30 A
Pulsed Drain Current :
150 A
Power Dissipation:
200 W
Linear Derating Factor:
1.3 W/°C
ハイライト:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

導入

物品目録


AT24C512B-PU4500ATMEL15+DIP-8
BDP9494500 12+SOT-223
BYT01-4004500ST16+NA
BYW96E4500フィリップス12+SOD64
DF08S/274500VISHAY16+SOP-4
HT9170D4500HOLTEK16+SOP
KST2222AMTF4500フェアチャイルド16+SOT23
L65624500ST16+SOP8
LM1117MP-3.34500NS16+SOT-223
LMC567CN4500NS14+DIP8
MT8870DE4500MT16+すくい
SP208EEA4500SIPEX16+SSOP-24
TDA70504500フィリップス15+SOP-8
TPN3021RL4500ST16+SOP8
A10134520FSC15+TO-92
ADM485JN4520広告12+DIP-8
LMC6482IM4520NS16+SOP-8
RTL8111B4520REALTEK12+QFN
TPA6017A2PWPR4520チタニウム16+HTSSOP20
LM1086IS-1.84555NS16+TO263
VND8304566ST16+SOP16
L6563D4571ST16+SOP
LP324M4588NS16+TSSOP14
SN75173D4613チタニウム14+SOP-16





IRF3415

力MOSFETの高圧力mosfet二重力mosfet

►高度の加工技術
►動的dv/dtの評価
►175°C実用温度
►評価される十分に速い切換えlなだれ

記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。

TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。



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