IRF3415力MOSFETの高圧力mosfet二重力mosfet
指定
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
30 A
Pulsed Drain Current :
150 A
Power Dissipation:
200 W
Linear Derating Factor:
1.3 W/°C
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
物品目録
AT24C512B-PU | 4500 | ATMEL | 15+ | DIP-8 |
BDP949 | 4500 | 12+ | SOT-223 | |
BYT01-400 | 4500 | ST | 16+ | NA |
BYW96E | 4500 | フィリップス | 12+ | SOD64 |
DF08S/27 | 4500 | VISHAY | 16+ | SOP-4 |
HT9170D | 4500 | HOLTEK | 16+ | SOP |
KST2222AMTF | 4500 | フェアチャイルド | 16+ | SOT23 |
L6562 | 4500 | ST | 16+ | SOP8 |
LM1117MP-3.3 | 4500 | NS | 16+ | SOT-223 |
LMC567CN | 4500 | NS | 14+ | DIP8 |
MT8870DE | 4500 | MT | 16+ | すくい |
SP208EEA | 4500 | SIPEX | 16+ | SSOP-24 |
TDA7050 | 4500 | フィリップス | 15+ | SOP-8 |
TPN3021RL | 4500 | ST | 16+ | SOP8 |
A1013 | 4520 | FSC | 15+ | TO-92 |
ADM485JN | 4520 | 広告 | 12+ | DIP-8 |
LMC6482IM | 4520 | NS | 16+ | SOP-8 |
RTL8111B | 4520 | REALTEK | 12+ | QFN |
TPA6017A2PWPR | 4520 | チタニウム | 16+ | HTSSOP20 |
LM1086IS-1.8 | 4555 | NS | 16+ | TO263 |
VND830 | 4566 | ST | 16+ | SOP16 |
L6563D | 4571 | ST | 16+ | SOP |
LP324M | 4588 | NS | 16+ | TSSOP14 |
SN75173D | 4613 | チタニウム | 14+ | SOP-16 |
IRF3415
力MOSFETの高圧力mosfet二重力mosfet
►高度の加工技術
►動的dv/dtの評価
►175°C実用温度
►評価される十分に速い切換えlなだれ
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
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標準的:
MOQ:
5pcs