IRF3205ZPBF自動車MOSFET転換力mosfetの低い電力mosfet
指定
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited):
110 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
78 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited):
75 A
Pulsed Drain Current:
440 A
Power Dissipation:
170 W
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
物品目録
ICL3222CB | 4100 | INTERSIL | 12+ | SOP18 |
SGA-5486 | 4100 | SIRENZA | 16+ | SMT86 |
TEA1098ATV | 4100 | 12+ | SSOP | |
NCP1271ADR | 4110 | 16+ | SOP7 | |
FKV550T | 4111 | SANKEN | 16+ | TO220F |
EPM570F256C5N | 4117 | ALTERA | 16+ | BGA256 |
MC33063AP1 | 4117 | 16+ | DIP8 | |
DS32ELX0421SQE | 4120 | NS | 16+ | LLP48 |
P2503NPG | 4120 | ニコス | 14+ | DIP8 |
TPS70751PWPR | 4120 | チタニウム | 16+ | TSSOP |
HCPL4504 | 4121 | AVAGO | 16+ | すくい |
OP177GP | 4122 | 広告 | 15+ | DIP-8 |
24LC512-I/SM | 4130 | マイクロチップ | 16+ | SOP-8 |
OZ8602GN | 4141 | マイクロ | 15+ | SOP-16 |
CNY70 | 4177 | VISHAY | 12+ | DIP-4 |
DS26LS32ACMX | 4177 | NS | 16+ | SOP16 |
AD517JH | 4200 | 広告 | 12+ | TO-78 |
ATMEGA169PV-8AU | 4200 | ATMEL | 16+ | QFP-64 |
CDRH2D18/HP-2R2NC | 4200 | SUMIDA | 16+ | SMD |
IPD06N03LAG | 4200 | 16+ | TO-252 | |
OP07CP | 4200 | チタニウム | 16+ | DIP8 |
PIC18F2520-I/SO | 4200 | マイクロチップ | 16+ | SOP-28 |
SG6841DZ | 4200 | SG | 14+ | DIP-8 |
SN75HVD3082EP | 4200 | チタニウム | 16+ | すくい |
BSP450 | 4210 | 16+ | SOT223 | |
HD74LS14P-E-Q | 4210 | RENESAS | 15+ | DIP14 |
TLZ5V1C | 4210 | VISHAY | 16+ | LL-34 |
PCF8593T | 4211 | 15+ | SOP8 | |
BDW94C | 4250 | ST | 12+ | TO-220 |
LQM21FN1R0N00D | 4250 | 村田 | 16+ | SMD |
AT93C66-10SU-2.7 | 4252 | ATMEL | 12+ | SOP-8 |
2N3906 | 4287 | 16+ | TO-92 | |
DS18B20 | 4444 | 格言 | 16+ | TO-92 |
95SQ015 | 4456 | IR | 16+ | DO-204AD |
PDTC143ET | 4477 | 16+ | SOT-23 | |
BZX284-C12 | 4480 | ファイ | 16+ | SOD-323 |
1SMB5920BT3G | 4500 | 14+ | DO-214AA | |
1SMB5922BT3G | 4500 | 16+ | DO-214AA | |
1SMB5929BT3G | 4500 | 16+ | DO-214AA | |
82C250T | 4500 | 15+ | SOP | |
ADM202EAN | 4500 | 広告 | 16+ | すくい |
IRF3205ZPBF
自動車MOSFET転換力mosfetの低い電力mosfet
特徴
か。►高度の加工技術か。
か。►超低いオン抵抗
か。►か。175°C実用温度か。
か。►速い切換えか。
か。►Tjmaxまで許可される反復的ななだれ
か。►無鉛
記述
具体的には自動車適用のために設計されていて、ID = 75AはこのHEXFETÆ力MOSFETケイ素区域ごとの極端に低いonresistanceを達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。この設計の付加的な特徴は175°C接続点実用温度、速く切り替え速度および改善された反復的ななだれの評価である。これらの特徴はこの設計に自動車適用および他のいろいろ適用の使用のための非常に有効な、信頼できる装置をするために結合する。
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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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標準的:
MOQ:
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