IRFZ44NPBF力Mosfetのトランジスター力mosfet IC電気IC
指定
Continuous Drain Current:
49 A
Pulsed Drain Current:
160 A
Power Dissipation:
94 W
Linear Derating Factor:
0.63 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Repetitive Avalanche Energy:
9.4 mJ
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
STU404D | 5000 | SAMHOP | 15+ | TO252 |
TB6560AHQ | 5000 | 東芝 | 16+ | ジッパー |
TC4001BP | 5000 | 東芝 | 16+ | DIP-14 |
TCA785 | 5000 | INFINECN | 14+ | すくい |
TCN75AVOA | 5000 | マイクロチップ | 14+ | SOIC-8 |
TCN75AVOA713 | 5000 | マイクロチップ | 14+ | SOP8 |
TDA1524A | 5000 | 16+ | すくい | |
TL072CP | 5000 | チタニウム | 16+ | DIP8 |
TLP127 | 5000 | 東芝 | 13+ | SOP |
TLP620-4 | 5000 | 東芝 | 15+ | すくい |
TOP244YN | 5000 | 力 | 16+ | TO-220 |
TS274CDT | 5000 | ST | 16+ | SOP-14 |
TS924AIDT | 5000 | ST | 14+ | SOP-14 |
UC3844BD ST | 5000 | ST | 14+ | SOP8 |
UDA1341TS | 5000 | 14+ | SSOP28 | |
VIPER22A | 5000 | ST | 16+ | DIP-8 |
VLF4012AT-4R7M1R1 | 5000 | TDK | 16+ | SMD |
PBSS5160T | 5001 | 13+ | SOT-23 | |
PL2303 | 5001 | 多産 | 15+ | SSOP |
NDT451AN | 5002 | FSC | 16+ | SOT223 |
MAX1681ESA | 5008 | 格言 | 16+ | SOP8 |
HFJ11-2450E-L12 | 5009 | HALOELECT | 14+ | RJ45 |
L6598 | 5010 | ST | 14+ | SOP16 |
ZM4744A | 5100 | VISHAY | 14+ | LL41 |
HCNW136 | 5101 | AVAGO | 16+ | DIP8 |
CQ1565RT | 5111 | フェアチャイルド | 16+ | TO-220 |
FZT758TA | 5111 | ZETEX | 13+ | SOT223 |
LM324DR | 5111 | チタニウム | 15+ | SOP-14 |
TFA9842 | 5112 | 16+ | ジッパー | |
MAX483ESA | 5117 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
IRFZ44NPbF
HEXFET®力MOSFET
- 高度の加工技術か。
- 超低いオン抵抗か。
- 動的dv/dtの評価か。
- 175°C実用温度か。
- 速い切換えか。
- 評価される十分になだれか。
- 無鉛
VDSS = 55V
RDS () = 17.5mΩ
ID = 49A
記述
国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。
絶対最高評価
変数 | 最高。 | 単位 | |
ID @ TC = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 49 | |
ID @ TC = 100°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 35 | |
IDM | 脈打った下水管の流れか。 | 160 | |
PD @TC = 25°C | 電力損失 | 94 | W |
線形軽減の要因 | 0.36 | With°C | |
VGS | ゲートに源の電圧 | ± 20 | V |
IAR | なだれの流れか。 | 25 | |
耳 | 反復的ななだれエネルギーか。 | 9.4 | mJ |
dv/dt | ピーク ダイオードの回復dv/dt | 5.0 | V/ns |
TJ TSTG |
作動の接続点 保管温度の範囲 |
-55に+ 175 | °C |
10秒のはんだ付けする温度、 | 300 (場合からの1.6mm) | °C | |
トルク、6-32またはM3 srewを取付ける | 10のlbf•(1.1N•m) |
TO-220ABのパッケージの輪郭
次元はミリメートル(インチ)で示されている
TO-220ABの部品の示す情報
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
||
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
||
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
||
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
||
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
||
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
||
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
||
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
||
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs