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絶縁されるIRG4BC30UDは両極トランジスター低い電力mosfetをゲートで制御する

メーカー:
製造者
記述:
IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-to-Emitter Voltage:
600 V
Continuous Collector Current:
12 A
Pulsed Collector Current :
92 A
Clamped Inductive Load Current:
92 A
ハイライト:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

導入

物品目録


PBL3764 1040 エリクソン 16+ PLCC
OB2268CCPA 5560 ON-BRIGHT 16+ SOP-8
LM5071MT-50 1794 NSC 14+ TSSOP-16
MAX14840EASA+T 5600 格言 14+ SOP
LT1372HVIS8 9466 線形 15+ SOP-8
LTC2209CUP 506 線形 14+ QFN
XCS05-3VQG100C 420 XILINX 12+ QFP100
LP2951CN 10000 NSC 15+ DIP-8
CS8967G 1376 MYSON 16+ QFP
LS1240A 10000 UTC 16+ DIP-8
BTS442E2 2100 14+ TO-220-5
ATMEGA8A-MU 6560 ATMEL 15+ QFN32
ATMEGA8A-MU 2500 ATMEL 15+ QFN-32
ICE1HS01G 2460 14+ SOP-8
AT93C86A-10PU-2.7 2500 ATMEL 13+ DIP-8
FW82801AA SL3Z2 3460 INTEL 16+ BGA
LM4040EIM3X-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LTC1144CS8#PBF 15010 線形 15+ SOP
L9829 2201 ST 16+ SOP-36
74HC595D 7500 15+ SOP
FDS4935A 2200 FSC 15+ SOP-8
ADR5041ARTZ-REEL7 2000年 広告 16+ SOT-23
CM1200HB-66H 170 MITSUBISH 14+ モジュール
FQPF6N80 3460 フェアチャイルド 15+ TO-220
L9929 3136 ST 15+ HSSOP24
74HC4051D 7500 15+ SOP
MAX280CPA 8800 格言 16+ すくい
BQ24075RGTR 1560 チタニウム 15+ QFN16
IRG4BC20KD-S 1500 IR 13+ TO-263
1SV149 3000 東芝 15+ TO-92S
74HC4046AD 7500 16+ SOP
MC14070BDR2G 38000 16+ SOP
NPCD378HAKFX 3620 MUVOTON 16+ QFP
HCNW3120 3460 AVAGO 15+ SOP-8/DIP-8
AD8227ARZ 2450 広告 14+ SOP
MC68HC908GZ48CFA 3760 MOT 14+ QFP
BD534 5500 ST 16+ TO-220
MC68HC908GZ60CFA 3766 MOT 14+ QFP
MC1458DT 9317 ST 10+ SOP
PH1819-60 2050年 フィリップス 14+ TO-63

IRG4BC30UD

絶縁されたゲートの両極トランジスター低い電力mosfet

特徴

•超高速:堅い切換えの8-40のkHzを高い動作周波数のために最大限に活用される、共鳴モードの>200 kHz

•世代別4 IGBT設計は生成3より堅い変数配分そして高性能を提供する

•IGBTは超高速HEXFREDTM橋構成の使用のための超柔らか回復anti-parallelダイオードと共同包んだ•業界標準TO-220ABのパッケージ

利点

•利用できる世代別-4 IGBT提供の高性能

•IGBTsは特定の適用状態のために最大限に活用した

•HEXFREDのダイオードはIGBTsの性能のために最大限に活用した。最小にされた回復特徴は邪険にするless/noを要求する

•同等の業界標準の生成3 IR IGBTsのための「drop-in」の取り替えであるように設計した

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