絶縁されるIRG4BC30UDは両極トランジスター低い電力mosfetをゲートで制御する
指定
Collector-to-Emitter Voltage:
600 V
Continuous Collector Current:
12 A
Pulsed Collector Current :
92 A
Clamped Inductive Load Current:
92 A
ハイライト:
npn smd transistor
,silicon power transistors
導入
物品目録
PBL3764 | 1040 | エリクソン | 16+ | PLCC |
OB2268CCPA | 5560 | ON-BRIGHT | 16+ | SOP-8 |
LM5071MT-50 | 1794 | NSC | 14+ | TSSOP-16 |
MAX14840EASA+T | 5600 | 格言 | 14+ | SOP |
LT1372HVIS8 | 9466 | 線形 | 15+ | SOP-8 |
LTC2209CUP | 506 | 線形 | 14+ | QFN |
XCS05-3VQG100C | 420 | XILINX | 12+ | QFP100 |
LP2951CN | 10000 | NSC | 15+ | DIP-8 |
CS8967G | 1376 | MYSON | 16+ | QFP |
LS1240A | 10000 | UTC | 16+ | DIP-8 |
BTS442E2 | 2100 | 14+ | TO-220-5 | |
ATMEGA8A-MU | 6560 | ATMEL | 15+ | QFN32 |
ATMEGA8A-MU | 2500 | ATMEL | 15+ | QFN-32 |
ICE1HS01G | 2460 | 14+ | SOP-8 | |
AT93C86A-10PU-2.7 | 2500 | ATMEL | 13+ | DIP-8 |
FW82801AA SL3Z2 | 3460 | INTEL | 16+ | BGA |
LM4040EIM3X-2.5 | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23 |
LTC1144CS8#PBF | 15010 | 線形 | 15+ | SOP |
L9829 | 2201 | ST | 16+ | SOP-36 |
74HC595D | 7500 | 15+ | SOP | |
FDS4935A | 2200 | FSC | 15+ | SOP-8 |
ADR5041ARTZ-REEL7 | 2000年 | 広告 | 16+ | SOT-23 |
CM1200HB-66H | 170 | MITSUBISH | 14+ | モジュール |
FQPF6N80 | 3460 | フェアチャイルド | 15+ | TO-220 |
L9929 | 3136 | ST | 15+ | HSSOP24 |
74HC4051D | 7500 | 15+ | SOP | |
MAX280CPA | 8800 | 格言 | 16+ | すくい |
BQ24075RGTR | 1560 | チタニウム | 15+ | QFN16 |
IRG4BC20KD-S | 1500 | IR | 13+ | TO-263 |
1SV149 | 3000 | 東芝 | 15+ | TO-92S |
74HC4046AD | 7500 | 16+ | SOP | |
MC14070BDR2G | 38000 | 16+ | SOP | |
NPCD378HAKFX | 3620 | MUVOTON | 16+ | QFP |
HCNW3120 | 3460 | AVAGO | 15+ | SOP-8/DIP-8 |
AD8227ARZ | 2450 | 広告 | 14+ | SOP |
MC68HC908GZ48CFA | 3760 | MOT | 14+ | QFP |
BD534 | 5500 | ST | 16+ | TO-220 |
MC68HC908GZ60CFA | 3766 | MOT | 14+ | QFP |
MC1458DT | 9317 | ST | 10+ | SOP |
PH1819-60 | 2050年 | フィリップス | 14+ | TO-63 |
IRG4BC30UD
絶縁されたゲートの両極トランジスター低い電力mosfet
特徴
•超高速:堅い切換えの8-40のkHzを高い動作周波数のために最大限に活用される、共鳴モードの>200 kHz
•世代別4 IGBT設計は生成3より堅い変数配分そして高性能を提供する
•IGBTは超高速HEXFREDTM橋構成の使用のための超柔らか回復anti-parallelダイオードと共同包んだ•業界標準TO-220ABのパッケージ
利点
•利用できる世代別-4 IGBT提供の高性能
•IGBTsは特定の適用状態のために最大限に活用した
•HEXFREDのダイオードはIGBTsの性能のために最大限に活用した。最小にされた回復特徴は邪険にするless/noを要求する
•同等の業界標準の生成3 IR IGBTsのための「drop-in」の取り替えであるように設計した
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
5pcs