A1104EUA-T転換力mosfet力Mosfetのトランジスター連続的時間スイッチ家族
npn smd transistor
,multi emitter transistor
A1101、A1102、A1103、A1104およびA1106
連続的時間スイッチ家族
特徴および利点
▪連続的時間操作
▫時間パワーに絶食させなさい
▫低雑音
▪完全な実用温度範囲上の安定した操作
▪逆電池の保護
▪ソリッド ステート信頼性
▪最適性能のための行末で工場プログラムされる
▪強いEMCの性能
▪高いESDの評価
▪バイパス コンデンサのない調整装置の安定性
パッケージ:3ピンSOT23W (接尾辞LH)、および3ピンSIP (接尾辞UA)
記述
Allegro® A1101-A1104およびA1106ホール効果素子スイッチは単極スイッチの普及したAllegro 312xおよび314xラインのための次世代の取り替えである。BiCMOSの技術と作り出されるA110x家族は装置から時間および低雑音操作パワーで速く特色になる成っている。装置プログラミングは、高められたswitchpointの正確さを保障する包装の後でパッケージの圧力によって引き起こすことができるオフセットの除去によって行われる。独特なホール素子の幾何学および騒音を最小にし、普通装置overmolding、温度の脱線および熱圧力によって引き起こされる残りのオフセットの電圧を減らすlowoffsetのアンプの助け。
A1101-A1104およびA1106ホール効果素子スイッチは単一のシリコン チップの次を含んでいる:電圧安定器、ホール電圧発電機、small-signalアンプ、Schmittの制動機およびNMOSの出力トランジスター。3.8からの24のV.への統合された電圧安定器の割り当て操作。広範な機内保護回路部品は±30 Vを自動車および産業モーター代わりの適用の優秀な保護のための絶対最高の電圧評価、外的な部品を加えないで可能にする。家族のすべての装置は磁気switchpointのレベルを除いて同一である。
BiCMOSプロセスの小さい幾何学はこれらの装置がultrasmallパッケージで提供されるようにする。利用できるパッケージ様式はほとんどの適用に磁気的に最大限に活用された解決を提供する。パッケージLHはパッケージUAはthroughholeの土台のための3鉛のultramini SIPであるが、SOT23Wのミニチュア控えめな表面台紙のパッケージである。各パッケージは100%の無光沢のスズメッキをされたleadframesと自由に鉛(Pb)、である。
絶対最高評価
特徴 | 記号 | ノート | 評価 | 単位 |
供給電圧 | VCC | 30 | V | |
逆の供給電圧 | VRCC | -30 | V | |
電圧を離れた出力 | VOUT | 30 | V | |
逆の出力電圧 | VROUT | – 0.5 | V | |
出力電流 | IOUTSINK | 25 | mA | |
磁束密度 | B | 無制限 | G | |
作動の周囲温度 | TA | 範囲E | – 40から85 | ºC |
範囲L | – 40から150 | ºC | ||
最高の接合部温度 | TJ (最高) | 165 | ºC | |
保管温度 | Tstg | – 65から170 | ºC |
機能ブロック ダイヤグラム
パッケージLH、3 Pin (SOT-23W)
パッケージUA、3 Pin SIP
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
XL6009E1 | 2000年 | XLSEMI | 14+ | TO263-5L |
30313* | 349 | BOSCH | 10+ | ZIP-21 |
MBI5026GNS | 14141 | MBI | 16+ | すくい |
NJU3718G-TE1 | 2920 | JRC | 10+ | SOP |
MC14023BCP | 3302 | MOT | 10+ | すくい |
P80C592FFA | 2820 | 14+ | PLCC | |
MAX15053EWL+T (type+A1J 220 5BP) | 5750 | 格言 | 15+ | WLP |
NCP303LSN11T1G | 10000 | 16+ | SOT23-5 | |
NSI45020AT1G | 10000 | 16+ | SOD-123 | |
L6566BTR | 5170 | ST | 16+ | SOP |
OPA365AIDBVR | 7500 | チタニウム | 16+ | SOT23-5 |
L6902D | 3411 | ST | 10+ | SOP8 |
PESD12VL1BA | 25000 | 13+ | SOT | |
OPA2348AIDCNR | 6980 | チタニウム | 16+ | SOT23-8 |
A3967SLBTR-T | 2803 | アレグロ | 15+ | SOP-24 |
XC9572XL-10TQG100C | 1199 | XILINX | 15+ | TQFP100 |
MC33262DR2G | 4112 | 16+ | SOP | |
MAX3243CDBR | 11900 | チタニウム | 11+ | SSOP |
PIC16F506-I/P | 5208 | マイクロチップ | 16+ | すくい |
PIC32MX575F256H-80I/PT | 300 | マイクロチップ | 14+ | TQFP-64 |
NJL5501R-TE1 | 2340 | JRC | 14+ | MLP4 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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