IRFI4020H-117P力MosfetのトランジスターDIGITALの音声MOSFET 200 V
メーカー:
製造者
記述:
MOSFET アレイ 200V 9.1A 21W スルーホール TO-220-5 フルパック
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VDS:
200 V
RDS(ON) typ. @ 10V:
80 m
Qg typ.:
19 nC
Qsw typ:
6.8 nC
RG(int) typ.:
3.0 Ω
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
特徴
►か。統合された半橋パッケージか。
►か。半分によって部品の計算を減らすか。
►か。よりよいPCBのレイアウトを促進するか。
►か。主変数はクラスDのオーディオ・アンプの塗布のために最大限に活用したか。
►か。改善された効率のための低いRDS （）か。
►か。よりよいTHDおよび改善された効率のための低いQgそしてQswか。よりよいTHDおよびより低いEMIのための低いQrrか。
►か。8Ωへのチャネルごとの300Wまでの缶配達半橋構成アンプの負荷か。
►か。無鉛パッケージ
記述
このデジタル音声MosFET半橋はクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されている。それは半橋構成で接続される2つの力MosFETスイッチから成っている。最も最近のプロセスがケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成するのに使用されている。効率、THDおよびEMIのようなキー・クラスDのオーディオ・アンプの作業率を改善するためになお、ゲート充満、ボディ ダイオードの逆の回復および内部ゲートの抵抗は最大限に活用される。これらはこの半橋にクラスDのオーディオ・アンプの塗布のための非常に能率的で、強い信頼できる装置をするために結合する。
| 変数 | 最高 | 単位 | |
| VDS | 下水管に源の電圧 | 200 | V |
| VGS | ゲートに源の電圧 | ±20 | V |
| ID @ TC = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 9.1 | |
| ID @ TC = 100°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 5.1 |
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標準的:
MOQ:
20pcs