MUR1660CTGの集積回路の破片の超高速の整流器8.0アンペア、100−600ボルト
npn smd transistor
,silicon power transistors
MUR1610CT、MUR1615CT、MUR1620CT、MUR1640CT、MUR1660CT
SWITCHMODETM力の整流器
これらのstate−of−the−art装置は転換の電源、インバーターのそして自由な回転ダイオードとして使用のために設計されているシリーズである。
特徴
•超高速の35そして60ナノ秒の回復時間
•175°C作動の接合部温度
•普及したTO−220パッケージ
•エポキシの大会UL 94 V−0 @ 0.125 inに
•高温ガラス不動態化された接続点
•600ボルトへの高圧機能
•低い漏出指定@ 150°C場合温度
•現在の軽減の@場合および周囲温度両方
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である
機械特徴:
•場合:エポキシ、形成される
•重量:1.9グラム(およそ)
•終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableである
•はんだ付けする目的のための鉛の温度:最高260°C。10秒のため
最高の評価
評価 | 記号 | MUR16 | 単位 | ||||
10CT | 15CT | 20CT | 40CT | 60CT | |||
ピーク反復的な逆電圧 働くピーク逆電圧 DCの妨害電圧 |
VRRM VRWM VR |
100 | 150 | 200 | 400 | 600 | V |
平均によって調整される前方流れ 足1本あたり 総装置、(VRを評価した)、TC = 150°C 総装置 |
(AV) |
8.0 16 |
|||||
ピークは現在を先に調整した ダイオードの足1本あたり (VRの方形波、20のkHzを評価した)、TC = 150°C |
IFM | 16 | |||||
非反復ピーク サージ電流 (定格負荷の状態の半波、単一フェーズ、60のHzに加えられるサージ) |
IFSM | 100 | |||||
作動の接合部温度および保管温度 |
TJ、 Tstg |
-65から+175 | °C |
最高の評価はどの装置損傷が起こることができるかを越えるそれらの価値である。最高の評価は装置にで、個々の圧力の限界値(正常な動作条件)である同時に無効適用した。これらの限界が超過すれば、装置機能操作は意味されない、損傷は起こり、信頼性は影響を受けるかもしれない。
超高速の整流器8.0アンペア、100−600ボルト
TO−220ABの場合221Aのプラスチック
示す図表
=アセンブリ位置
Y =年
WW =仕事週
U16xx =デバイス・コード
XX = 10、15、20、40か60
G = Pb−Freeのパッケージ
KA =ダイオードの極性
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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