HEXFET力MOSFETのケイ素力トランジスターIRF3205PBF
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V:
110か。;80 A
Pulsed Drain Current:
390 A
Power Dissipation:
200 W
Linear Derating Factor:
1.3 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Avalanche Current:
62 A
ハイライト:
npn smd transistor
,silicon power transistors
導入
か。
• 高度プロセス
• 技術か。超低いオン抵抗か。
• 動的dv/dtの評価か。
• 175°C実用温度か。
• 速い切換えか。
• 評価される十分になだれか。
• 無鉛
記述
インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs
整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用する
ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、
速い切り替え速度と結合され、高耐久化される
HEXFET力のMOSFETsが有名であること装置設計
のために、非常に有効のをデザイナーに与える
いろいろ適用の使用のための信頼できる装置。
TO-220パッケージはすべてのために一般に好まれる
電力損失のレベルの商業産業適用
およそ50ワットに。低い熱抵抗
TO-220の低いパッケージの費用は広いに貢献する
企業中の受諾。
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標準的:
MOQ:
10pcs