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力MOSFET IRF740PBFのケイ素力トランジスター単一構成

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VDS (v):
400
RDS(on) (Ω):
VGS = 10 V ; 0.55
Qg (最高。) (NC):
9.0
Qgd (nC):
32
Configuration:
Single
パッケージ:
TO-220
ハイライト:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

導入

特徴

•動的dV/dtの評価

•評価される反復的ななだれ

•速い切換え

•平行になる容易さ

•簡単なドライブ条件

•鉛(Pb)のなしの利用できる

記述

Vishayからの第三世代力のMOSFETsは提供する

速い切換えの最もよい組合せを用いるデザイナー、

高耐久化された装置設計、低いオン抵抗

費用効果。

TO-220パッケージはすべてのために一般に好まれる

電力損失の商業産業適用

およそ50 W.へのレベル。低い熱抵抗

そしてTO-220の低いパッケージの費用は広いに貢献する

企業中の受諾。

通知がなければ典型的な特徴25の°C、

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