ケイ素PNP力トランジスター（電力増幅器の塗布） 2SA1943
メーカー:
製造者
記述:
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W スルーホール TO-3P(L)
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-Base電圧:
-230 V
Collector-emitter voltage:
-230 V
Emitter-base電圧:
-5 V
Collector current:
-15 A
Base current:
-1.5 A
Collector power dissipation:
150 W
Junction temperature:
150℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
ハイライト:
npn smd transistor
,silicon power transistors
導入
ケイ素PNP力トランジスター2SA1943
記述
·TO-3PLのパッケージを使って
·2SC5200をタイプする補足物
適用
·電力増幅器の塗布
·ハイ ファイ100Wのために推薦される
低周波のアンプの出力段階
ピンで止めること
| PIN | 記述 |
| 1 | エミッター |
| 2 |
コレクター;に接続される 基盤の取付け |
| 3 | 基盤 |
特徴Tj=25℃他に特に規定がなければ
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ。 | MAX | 単位 |
| V （BR） CEO | Collector-emitterの絶縁破壊電圧 | IC =-50mA;IB =0 | -230 | V | ||
| VCEsat | Collector-emitterの飽和電圧 | IC =-8A IB =-0.8A | -3.0 | V | ||
| VBE | Base-emitterの電圧 | IC =-7A;VCE =-5V | -1.5 | V | ||
| ICBO | コレクタ遮断電流 | VCB =-230V;IE =0 | -5 | μA | ||
| IEBO | エミッターの締切りの流れ | VEB =-5V;IC =0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | DCの現在の利益 | IC =-1A;VCE =-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | DCの現在の利益 | IC =-7A;VCE =-5V | 35 | |||
| fT | 転移の頻度 | IC =-1A;VCE =-5V | 30 | MHz | ||
| 穂軸 | コレクターの出力キャパシタンス | f=1MHz;VCB =-10V | 360 | pF |
hFE-1の分類
| R | O |
| 55-110 | 80-160 |
パッケージの輪郭
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標準的:
MOQ:
20pcs