堀力Mosfet IC IRF1404PBFは超低いオン抵抗を進めた
npn smd transistor
,silicon power transistors
堀力Mosfet IC IRF1404PBFは超低いオン抵抗を進めた
記述
国際的な整流器からの第7世代別HEXFETÆ力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点は自動車を含むいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての自動車商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。
か。高度の加工技術か。
超低いオン抵抗か。
動的dv/dtの評価か。175°C
実用温度か。
速い切換えか。
評価される十分になだれか。
修飾される自動車（Q101）か。
無鉛
反復的ななだれのカーブ、図15、16のノート:（詳細については、www.irf.comでAN-1005を見なさい）
1. なだれの失敗の仮定:全く熱現象および失敗はTjmax以上温度にずっと起こる。これはあらゆる部分のタイプのために認可される。
2. なだれの安全な操作は長いasTjmaxが超過しないので許可される。
3. 図12a、12bで示されている回路および波形に基づく次同等化。
4. PD （ave） =単一のなだれの脈拍ごとの平均出力の消滅。
5. BV =評価される絶縁破壊電圧（なだれの間の電圧増加のための1.3の要因記述）。
6. Iav =正当ななだれの流れ。
7. ∆T =接合部温度の正当な上昇、Tjmaxを超過しないため（図15、16の25°Cとして仮定した）。tav =なだれの平均時間。なだれ= tavのD =使用率·f ZthJC （Dのtav）は=一時的な熱抵抗、図を見る11）
| 変数 | タイプ | 最高。 | 単位 | |
| RθJC | 接続点に場合 | -- | 0.45 | °C/W |
| RθCS | 場合に流し、平らな、グリースを塗られた表面 | 0.50 | --- | |
| RθJA | 接続点に包囲された | -- | 62 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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