原物3 PinのトランジスターBD249C-S NPN高い発電のトランジスター25A 125W
メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3 W Through Hole SOT-93
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Shipment:
DHL, FedeX, UPS, EMS etc
Main Line:
IC components, Transistor, Diode, Module,Capacitor etc
Lot no.:
1274552
Temperature:
-65 to +150 °C
Voltage:
100V
Package:
TO-218
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
原物3 PinのトランジスターBD249C NPN高い発電のトランジスター25A 125W
NPN High−PowerのトランジスターNPN BD249C
high−powerのトランジスターはgeneral−purposeの電力増幅器および転換の適用のためである。
特徴
•ESDの評価:機械モデル、C;> 400ボルトの人体モデル、3B;> 8000ボルト
•エポキシの大会UL 94 V−0 @ 0.125
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である
最高の評価
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| コレクターの−のエミッターの電圧 | Vceo | 100 | Vdc |
| コレクターの−の基礎電圧 | Vcbo | 100 | Vdc |
| エミッターの−の基礎電圧 | Vebo | 5.0 | Vdc |
| コレクター流れの−の連続的なピーク（ノート1） | IC |
25 40 |
Adc Apk |
| 連続的な基礎現在の− | Ib | 5.0 | Adc |
| 総装置消滅は25°Cの上で@ TC = 25°C軽減する | Pd |
125 1.0 |
W With°C |
| 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 |
TJ、 Tstg |
– 65から+150 | °C |
| Unclamped誘導負荷 | Esb | 90 | mJ |
熱特徴
| 特徴 | 記号 | 最高 | 単位 |
|
熱抵抗、 Junction−to−Case |
RøJC | 1.0 | °C/W |
|
熱抵抗、 Junction−to−Ambient |
RøJA | 35.7 | °C/W |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。
最高の評価は圧力の評価だけである。機能操作
推薦された作動条件の上で意味されない。
推薦されるの上の圧力への延長露出
作動条件は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。1.脈拍
テスト:脈拍幅300 sの使用率2.0%。*
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