MMBTA42LT1G力MosfetのトランジスターNPNケイ素の高圧トランジスター
multi emitter transistor
,silicon power transistors
MMBTA42LT1G、MMBTA43LT1G
高圧トランジスター
NPNのケイ素
特徴
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである
最高の評価
特徴 | 記号 | 価値 | 単位 |
Collector−Emitterの電圧MMBTA42 MMBTA43 |
VCEO |
300 200 |
Vdc |
Collector−Baseの電圧MMBTA42 MMBTA43 |
VCBO |
300 200 |
Vdc |
Emitter−Baseの電圧MMBTA42 MMBTA43 |
VEBO |
6.0 6.0 |
Vdc |
連続的なコレクター流れの− | IC | 500 | mAdc |
熱特徴
特徴 | 記号 | 価値 | 単位 |
総装置消滅FR−5板 (ノート1) TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
225 1.8 |
MW mW/°C |
熱抵抗、Junction−to−Ambient |
RθJA |
556 |
°C/W |
総装置消滅のアルミナの基質 (ノート2) TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
300 2.4 |
MW mW/°C |
熱抵抗、Junction−to−Ambient | RθJA | 417 | °C/W |
接続点および保管温度 | TJ、Tstg | +150への−55 | °C |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 inに。
2. アルミナ= 0.4 x 0.3 x 0.024 inに。99.5%アルミナ。
パッケージ次元
SOT−23 (TO−236)
場合318−08
問題AP
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
LPC4078FBD208 | 2821 | 16+ | QFP208 | |
LPS331APTR | 6770 | ST | 16+ | LGA16 |
LPS4012-152MLC | 4955 | COILCRAFT | 08+ | SMD |
LPS6225-103MLC | 9148 | COILCRAFT | 16+ | SMD |
LQG18HNR10J00D | 24000 | 村田 | 16+ | SMD |
LQH32CNR47M33L | 113000 | 村田 | 15+ | SMD |
LQH43MN1R0M03L | 13000 | 村田 | 16+ | SMD |
LQW15AN13NG00D | 3000 | 村田 | 15+ | SMD |
LQW18AN3N9C10D | 16000 | 村田 | 13+ | SMD |
LQW18ANR22G00D | 12000 | 村田 | 15+ | SMD |
LQW2BASR15J00L | 61000 | 村田 | 15+ | SMD |
LQW2BHNR47K03L | 55000 | 村田 | 16+ | SMD |
LS4448-GS08 | 20000 | VISHAY | 16+ | LL34 |
LSM303DLHTR | 10067 | ST | 16+ | LGA |
LT1004CDR-2-5 | 3519 | チタニウム | 12+ | SOP-8 |
LT1009IS8#PBF | 7519 | 線形 | 14+ | SOP-8 |
LT1013DIDR | 7843 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
LT1072CN8 | 8677 | LT | 13+ | DIP-8 |
LT1085CT-12 | 4387 | LT | 16+ | TO-220 |
LT1117CST | 1387 | 線形 | 15+ | SOT223 |
LT1373CS8 | 4358 | LT | 13+ | SOP-8 |
LT1460GIZ-5 | 3179 | LT | 16+ | TO-92 |
LT1611CS5 | 15029 | LT | 15+ | SOT23-5 |
LT1764AEQ-1.5#PBF | 4513 | 線形 | 14+ | TO-263 |
LT1764AEQ-1.8#TRPBF | 2400 | LT | 09+ | TO263-5 |
LT1764AEQ-3.3 | 3962 | LT | 15+ | TO-263 |
LT1783CS5 | 3598 | LT | 14+ | SOT-153 |
LT1806CS8 | 3157 | LT | 14+ | SOP |
LT1931AES5#TRPBF | 4880 | 線形 | 06+ | SOT23-5 |
LT1931ES5#TRPBF | 4368 | 線形 | 16+ | SOT23-5 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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