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MMBTA42LT1G力MosfetのトランジスターNPNケイ素の高圧トランジスター

メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector−Emitter Voltage:
300 Vdc
Collector−Base Voltage:
300 Vdc
Emitter−Base Voltage:
6.0 Vdc
Collector Current (Continuous):
500 mAdc
Junction and Storage Temperature:
−55 to +150 °C
Package:
SOT−23
ハイライト:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

導入

MMBTA42LT1G、MMBTA43LT1G

高圧トランジスター

NPNのケイ素

特徴

•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

最高の評価

特徴 記号 価値 単位

Collector−Emitterの電圧MMBTA42

MMBTA43

VCEO

300

200

Vdc

Collector−Baseの電圧MMBTA42

MMBTA43

VCBO

300

200

Vdc

Emitter−Baseの電圧MMBTA42

MMBTA43

VEBO

6.0

6.0

Vdc
連続的なコレクター流れの− IC 500 mAdc

熱特徴

特徴 記号 価値 単位

総装置消滅FR−5板

(ノート1) TA = 25°C

25°Cの上で軽減しなさい

PD

225

1.8

MW

mW/°C

熱抵抗、Junction−to−Ambient

RθJA

556

°C/W

総装置消滅のアルミナの基質

(ノート2) TA = 25°C

25°Cの上で軽減しなさい

PD

300

2.4

MW

mW/°C

熱抵抗、Junction−to−Ambient RθJA 417 °C/W
接続点および保管温度 TJ、Tstg +150への−55 °C

最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 inに。

2. アルミナ= 0.4 x 0.3 x 0.024 inに。99.5%アルミナ。

パッケージ次元

SOT−23 (TO−236)

場合318−08

問題AP

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
LPC4078FBD208 2821 16+ QFP208
LPS331APTR 6770 ST 16+ LGA16
LPS4012-152MLC 4955 COILCRAFT 08+ SMD
LPS6225-103MLC 9148 COILCRAFT 16+ SMD
LQG18HNR10J00D 24000 村田 16+ SMD
LQH32CNR47M33L 113000 村田 15+ SMD
LQH43MN1R0M03L 13000 村田 16+ SMD
LQW15AN13NG00D 3000 村田 15+ SMD
LQW18AN3N9C10D 16000 村田 13+ SMD
LQW18ANR22G00D 12000 村田 15+ SMD
LQW2BASR15J00L 61000 村田 15+ SMD
LQW2BHNR47K03L 55000 村田 16+ SMD
LS4448-GS08 20000 VISHAY 16+ LL34
LSM303DLHTR 10067 ST 16+ LGA
LT1004CDR-2-5 3519 チタニウム 12+ SOP-8
LT1009IS8#PBF 7519 線形 14+ SOP-8
LT1013DIDR 7843 チタニウム 16+ SOP-8
LT1072CN8 8677 LT 13+ DIP-8
LT1085CT-12 4387 LT 16+ TO-220
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LT1783CS5 3598 LT 14+ SOT-153
LT1806CS8 3157 LT 14+ SOP
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LT1931ES5#TRPBF 4368 線形 16+ SOT23-5

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