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BD237力Mosfetのトランジスター、低電圧NPN力トランジスター

メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 25 W Through Hole SOT-32-3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Emitter-base voltage:
5 V
Collector current:
2 A
Collector peak current:
6 A
Total dissipation:
25 W
Storage temperature:
-65 to 150 °C
operating junction temperature:
150 °C
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

BD237力Mosfetのトランジスター、低電圧NPN力トランジスター

特徴

低い飽和電圧

■NPNのトランジスター

適用

可聴周波の、力の線形および転換の適用

記述

装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生じるトランジスターは例外的な高利得性能を示す。PNPのタイプはBD238である。

絶対最高評価

記号 変数 価値 単位
BD235 BD237
VCBO Collector-base電圧(IE = 0) 60 100 V
VCER Collector-emitter電圧(RBE = 1つのkΩ) 60 100 V
VCEO Collector-emitter電圧(IB = 0) 60 80 V
VEBO Emitter-base電圧(IC = 0) 5 V
IC コレクター流れ 2
ICM コレクターのピーク電流(TP< ms=""> 6
PTOT Tcase = 25°Cの総消滅 25 W
Tstg 保管温度 -65から150 °C
TJ 最高。作動の接合部温度 150 °C

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
ESP8266EX 5982 ESPRESSIF 14+ QFN32
ETC1.6-4-2-3TR 4563 M/A-COM 15+ SMD
EX5418-EG11 7577 EETI 13+ QFN
EXC7900-SG11 4967 EETI 13+ QFN
EXCCET103U 9515 松下電器産業 16+ SMD
EZ80190AZ050SG 2645 ZILOG 05+ QFP
F2405S-1WR2 4629 MORNSUN 16+ SIP
F65550B 1918年 破片 13+ QFP
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FAN3225TMPX 3081 フェアチャイルド 16+ DFN-8
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FCB11N60TM 12339 フェアチャイルド 15+ TO-263
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