メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > STP75NF75力Mosfetのトランジスターnpnの一般目的のトランジスター

STP75NF75力Mosfetのトランジスターnpnの一般目的のトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-source voltage:
75 V
Drain-gate voltage:
75 V
Gate-source voltage:
± 20 V
Peak diode recovery voltage slope:
12 V/ns
Single pulse avalanche energy:
700 mJ
Operating junction & Storage temperature:
-55 to 175 °C
ハイライト:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

導入

STB75NF75

STP75NF75 - STP75NF75FP

N-channel 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP -

D2朴STripFET™II力MOSFET

概要の特徴

タイプ VDSS RDS () ID
STB75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75FP 75V <0>80A (1)

1. パッケージによって限られる流れ

例外的なdv/dtの機能

■100%のなだれはテストした

記述

この力MOSFETシリーズは入力キャパシタンスおよびゲート充満を最小にするようにSTripFET™独特なプロセスがとりわけ設計されていたSTMicroelectronicsと実現した。従ってそれは電気通信およびコンピュータ利用技術のための高度の高性能の、高周波隔離されたDC-DCのコンバーターの第一次スイッチとして適している。それはまた低いゲート ドライブ条件のあらゆる適用のために意図されている。

適用

転換の適用

絶対最高評価

記号 変数 価値 単位
D2朴/TO-220 TO-220FP
VDS 下水管源の電圧(VGS = 0) 75 V
VDGR 下水管ゲートの電圧(RGS = 20KΩ) 75 V
VGS ゲート源の電圧 ± 20 V
ID (1) 現在を(連続的)でTC = 25°C流出させなさい 80 80
ID (1) 現在を(連続的)でTC = 100°C流出させなさい 70 70
IDM (2) 下水管の流れ(脈打つ) 320 320
PTOT 総消滅のTC = 25°C 300 45 W
要因の軽減 2.0 0.3 With°C
dv/dt (3) ピーク ダイオードの回復電圧斜面 12 V/ns
EAS (4) 単一の脈拍のなだれエネルギー 700 mJ
VISO すべての3からの絶縁材の抵抗電圧(RMS)は外的な脱熱器(t=1sに導く;TC =25°C) -- 2000年 V

TJ

Tstg

作動の接合部温度

保管温度

-55から175 °C

1. パッケージによって限られる流れ

2. 安全運転区域限られる脈拍幅

3. ISDの≤ 80A、di/dt ≤300A/µsのVDDの≤ V (BR) DSSのTjの≤ TJMAX

4. 始まるTJ = 25°C、ID = 40A、VDD = 37.5V

内部図式的な図表

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
STM32F102C8T6 2660 ST 13+ QFP48
STM32F102CBT6 16078 ST 11+ QFP48
STP24DP05BTR 2828 ST 16+ QFP48
TSL1018IF 4920 ST 10+ QFP48
SC56F8034V 2006年 FREESCALE 16+ QFP44
SC79854-64J01 15168 MOT 16+ QFP44
UDA1355H 1895 02+ QFP44
TDA9859H/V2 3086 ファイ 13+ QFP44
SAA5284GP 2759 フィリップス 10+ QFP44
TW9900-TA1-GR 3044 INTERSIL 16+ QFP32
SY55858UHG 2294 MICREL 16+ QFP32
TDA8020HL/C2 2036年 11+ QFP32
STM8AF6266TC 8784 ST 13+ QFP32
STM8AF6266TCY 5788 ST 14+ QFP32
STM8L151K4T6 29952 ST 14+ QFP32
STM8L152K6T6 2351 ST 16+ QFP32
STM8S005K6T6C 41128 ST 15+ QFP32
STM8S903K3T6CTR 21420 ST 16+ QFP32
STI5105ALC 1604 ST 16+ QFP216
SLA913FFOR 692 EPSON 10+ QFP160
STM32F405ZGT6 572 ST 16+ QFP144
S1D13506F00A200 743 EPSON 13+ QFP128
TW2866-LC1-CR 2015年 INTERSIL 14+ QFP128
TW2868-LA2-CR 1586 INTERSIL 16+ QFP128
W83627HG-AW 4108 NUVOTON 13+ QFP128
RTL8110SC-GR 2972 REALTEK 16+ QFP128
RTL8204B-VC 15914 REALTEK 08+ QFP128
RTL8212-GR 1682 REALTEK 14+ QFP128
SCH5514E-NS 1829 SMSC 10+ QFP128
STV0900A 665 ST 13+ QFP128

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs