P4NK60ZFP力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
絶縁材の抵抗電圧:
2500ボルト
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MAX191BCWG+ | 2338 | 格言 | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T | 3044 | 格言 | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | チタニウム | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | チタニウム | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA+ | 6562 | 格言 | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA+T | 3853 | 格言 | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | 格言 | 15+ | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | 格言 | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP+T | 3707 | 格言 | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | チタニウム | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | 格言 | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | チタニウム | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | 格言 | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | チタニウム | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | チタニウム | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | チタニウム | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | チタニウム | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ | 553 | 格言 | 13+ | NA |
| MAX3311CUB | 2302 | 格言 | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | 格言 | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ | 3095 | 格言 | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA+T | 5829 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA+ | 11077 | 格言 | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA+T | 15089 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | 格言 | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | 格言 | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | 格言 | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | 格言 | 15+ | DIP-8 |
| MAX491CPD+ | 14840 | 格言 | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
SuperMESH™Power Zener保護されたMOSFET
■典型的なRDSの（） = 1.76のΩ
■非常に高いdv/dtの機能
■100%のなだれはテストした
■ゲート充満は最小になった
■まさに低く本質的なキャパシタンス
■まさによい製造REPEATIBILITY
記述
SuperMESH™シリーズはSTの確立したstripbased PowerMESH™のレイアウトの極度な最適化によって得られる。オン抵抗をかなり押下げることに加えて最もデマンドが高い適用のための非常によいdv/dtの機能を保障するために、特別な注意は取られる。そのようなシリーズはMDmesh™革命的なプロダクトを含む高圧MOSFETsのフル レンジSTを補足する。
適用
■高い流れ、高速切換え
■オフ・ラインの電源、アダプターおよびPFCのための理想
■照明
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 | ||
|
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 |
STP4NK60ZFP |
STD4NK60Z STD4NK60Z-1 |
|||
| VDS | 下水管源の電圧（VGS = 0） | 600 | V | ||
| VDGR | 下水管ゲートの電圧（RGS = 20 kΩ） | 600 | V | ||
| VGS | ゲート源電圧 | ± 30 | V | ||
| ID | 現在を（連続的）でTC = 25°C流出させなさい | 4 | 4 （*） | 4 | |
| ID | 現在を（連続的）でTC = 100°C流出させなさい | 2.5 | 2.5 （*） | 2.5 | |
| IDM （•か。） | 下水管の流れ（脈打つ） | 16 | 16 （*） | 16 | |
| PTOT | 総消滅のTC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| 要因の軽減 | 0.56 | 0.2 | 0.56 | With°C | |
| VESD （G-S） | ゲートの源ESD （HBM-C=100pF、R=1.5KΩ） | 3000 | V | ||
| dv/dt （1） | ピーク ダイオードの回復電圧斜面 | 4.5 | V/ns | ||
| VISO | 絶縁材の抵抗電圧（DC） | - | 2500 | - | V |
|
Tj Tstg |
作動の接合部温度 保管温度 |
-55から150 -55から150 |
°C | ||
（•か。か。）安全運転区域限られる脈拍幅
（1） ISD ≤4A、di/dt ≤200A/µsのVDDの≤ V （BR） DSSのTjの≤ TJMAX。
（*）割り当てられた最高温度がによってだけ限った
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs