BC327-40力MosfetのトランジスターPNP一般目的のトランジスター
メーカー:
製造者
記述:
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP 45 V 800 mA 100MHz 625 mW スルーホール TO-92
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
collector-base voltage:
−50 V
Collector-emitter電圧:
−45 V
Emitter-base電圧:
−5 V
collector current (DC):
−500 mA
total power dissipation:
625 mW
storage temperature:
−65 to +150 °C
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| ESP8266EX | 5982 | ESPRESSIF | 14+ | QFN32 |
| ETC1.6-4-2-3TR | 4563 | M/A-COM | 15+ | SMD |
| EX5418-EG11 | 7577 | EETI | 13+ | QFN |
| EXC7900-SG11 | 4967 | EETI | 13+ | QFN |
| EXCCET103U | 9515 | 松下電器産業 | 16+ | SMD |
| EZ80190AZ050SG | 2645 | ZILOG | 05+ | QFP |
| F2405S-1WR2 | 4629 | MORNSUN | 16+ | SIP |
| F65550B | 1918年 | 破片 | 13+ | QFP |
| FA5518N-A2-TE1 | 9586 | 冨士通 | 14+ | SOP-8 |
| FAN1112DX | 20504 | フェアチャイルド | 16+ | TO-252 |
| FAN3225TMPX | 3081 | フェアチャイルド | 16+ | DFN-8 |
| FAN3225TMX | 5365 | フェアチャイルド | 13+ | SOP-8 |
| FAN6862TY | 13420 | フェアチャイルド | 16+ | SSOT-6 |
| FAN9612MX | 7548 | フェアチャイルド | 12+ | SOP-8 |
| FC-135 32.7680KA | 4093 | EPSON | 13+ | SMD |
| FCB11N60TM | 12339 | フェアチャイルド | 15+ | TO-263 |
| FCX495TA | 46000 | ZETEX | 14+ | SOT-89 |
| FDB3632 | 8071 | フェアチャイルド | 14+ | TO-263 |
| FDC6330L | 7527 | フェアチャイルド | 04+ | SOT-163 |
| FDC6420C | 20575 | フェアチャイルド | 14+ | SOT-163 |
| FDD4141 | 9286 | フェアチャイルド | 16+ | TO-252 |
| FDD850N10L | 20646 | フェアチャイルド | 11+ | TO-252 |
| FDH055N15A | 7591 | フェアチャイルド | 15+ | TO-247 |
| FDL100N50F | 3233 | フェアチャイルド | 13+ | TO-264 |
| FDLL4148 | 25000 | フェアチャイルド | 15+ | LL34 |
| FDMS3604S | 5436 | フェアチャイルド | 16+ | QFN |
| FDMS86500L | 8142 | フェアチャイルド | 13+ | QFN-8 |
| FDMS86520L | 7901 | フェアチャイルド | 15+ | QFN |
| FDMS8672S | 6190 | フェアチャイルド | 16+ | QFN-8 |
| FDMS8692 | 20717 | フェアチャイルド | 16+ | QFN |
BC327 PNPの一般目的のトランジスター
特徴
•高い現在（最高。500 mA）
•低電圧（最高。45 V）。
適用
•一般目的の切換えおよび拡大のオーディオ・アンプの例えば運転者そして出力段階。
記述
TO-92のPNPのトランジスター;SOT54プラスチック パッケージ。NPNの補足物:BC337.
限界値
絶対最高評価システム（IEC 134）に従って。
| 記号 | 変数 | 条件 | MIN. | MAX. | 単位 |
| VCBO | collector-base電圧 | 開いたエミッター | − | −50 | V |
| VCEO | collector-emitter電圧 | 開いた基盤 | − | −45 | V |
| VEBO | emitter-base電圧 | 開いたコレクター | − | −5 | V |
| IC | コレクター流れ（DC） | − | −500 | mA | |
| ICM | ピーク コレクター流れ | − | −1 | ||
| IBM | ピーク基礎流れ | − | −200 | mA | |
| Ptot | 全体の電力損失 | Tambの≤ 25の°C;ノート1 | − | 625 | MW |
| Tstg | 保管温度 | −65 | +150 | °C | |
| Tj | 接合部温度 | − | 150 | °C | |
| Tamb | 作動の周囲温度 | −65 | +150 | °C |
ノート1.のトランジスターはFR4プリント回路板に取付けた。
Fig.1は輪郭（TO-92を簡単にした;SOT54）および記号。
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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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10pcs