NJW0281G NJW0302G力Mosfetのトランジスター、NPN PNP力トランジスター
power mosfet ic
,silicon power transistors
NJW0281G NJW0302G力Mosfetのトランジスター、NPN PNP力トランジスター
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
AT91SAM7S64C-AU | 3522 | ATMEL | 14+ | QFP |
ATMEGA88PA-AU | 3554 | ATMEL | 14+ | QFP |
BFG135 | 3586 | 14+ | SOT-223 | |
BTA40-600B | 3618 | ST | 16+ | TO-3 |
IR2184PBF | 3650 | IR | 16+ | DIP-8 |
PIC18F452-I/P | 3682 | マイクロチップ | 13+ | QFP |
PC5P 3a1b 24V | 3714 | 松下電器産業 | 15+ | |
PIC18LF4520-I/PT | 3746 | マイクロチップ | 16+ | QFP |
ADF4360-4BCPZ | 3778 | 広告 | 16+ | LFCSP |
ADM2483BRWZ | 3810 | 広告 | 14+ | SOP |
BCM3349KFBG | 3842 | BROADCOM | 14+ | BGA |
LMD18200T | 3874 | NS | 14+ | ZIP11 |
USBN9603-28M | 3906 | NS | 16+ | SOP-28 |
PIC18F2550-I/SP | 3938 | マイクロチップ | 16+ | DIP-28 |
IRFP360 | 3970 | IR | 13+ | TO-247 |
HCF4053BM1 | 4002 | ST | 15+ | SOP |
ADP3338AKC-1.8-RL7 | 4034 | 広告 | 16+ | SOT-223 |
BA3308F-E2 | 4066 | ROHM | 16+ | SOP-14 |
SPW47N60C3 | 4098 | INF | 14+ | TO-247 |
6RI100G-160 | 4130 | 富士 | 14+ | モジュール |
AD620AN | 4162 | 広告 | 14+ | すくい |
AD8139ACPZ | 4194 | 広告 | 16+ | QFN |
ADC0804LCN | 4226 | NS | 16+ | すくい |
AT89S8253-24PU | 4258 | ATMEL | 13+ | すくい |
DF10S | 4290 | 9月 | 15+ | SMD-4 |
FZT651TA | 4322 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
OPA4227PA | 4354 | BB | 16+ | すくい |
TMS320C50PQ80 | 4386 | チタニウム | 14+ | QFP |
Z85C3008PSC | 4418 | ZILOG | 14+ | DIP40 |
GT60M104 | 4450 | TOS | 14+ | TO-3PL |
NJW0281G (NPN)
NJW0302G (PNP)
補足NPN-PNP力の両極トランジスター
補足のケイ素力トランジスター15アンペアの250ボルト、150ワット
これらの補足装置は普及したNJW3281GおよびNJW1302Gの音声出力のの低い電力版トランジスターである。優秀な利益直線性および安全運転区域の性能によって、これらのトランジスターはハイ ファイのオーディオ・アンプの出力段階および他の線形適用にとって理想的である。
特徴
•例外的な安全運転区域
•50 mAからの3 Aに10%の内で一致するNPN/PNPの利益
•優秀な利益直線性
•高いBVCEO
•高周波
•これらはPbなしの装置Beneである
利点
• 高い発電の信頼できる性能
•補足構成の対称の特徴
•入力信号の正確な再生
•すばらしいダイナミック レンジ
•高いアンプの帯域幅のApp
適用
•上限の消費者可聴周波プロダクト
*家のアンプ
*家の受信機
•専門のオーディオ・アンプ
*劇場および競技場のサウンド・システム
*マキシ構内放送(先)
最高の評価
評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
Collector-Emitter電圧 | VCEO | 250 | Vdc |
Collector-Base電圧 | VCBO | 250 | Vdc |
Emitter-Base電圧 | VEBO | 5.0 | Vdc |
Collector-Emitter電圧- 1.5ボルト | VCEX | 250 | Vdc |
コレクター流れ-連続的なコレクター流れ -ピーク(ノート1) |
IC |
15 30 |
Adc |
基礎現在-連続的 | IB | 1.5 | Adc |
全体の電力損失@ TC = 25°C | PD | 150 | ワット |
作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | TJ、Tstg | - 65から+150 | °C |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
1. 脈拍テスト:脈拍幅= 5.0氏の使用率 < 10="">
パッケージ次元
TO-3P-3LD
場合340AB-01
問題A
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
||
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
||
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
||
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
||
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
||
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
||
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
||
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
||
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|