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FDS6910二重N-Channelの論理のレベルのPowerTrench MOSFET線形力mosfet npnのdarliCM GROUPon力トランジスター

メーカー:
製造者
記述:
Mosfetの配列30V 7.5A 900mWの表面の台紙8-SOIC
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管源の電圧:
30ボルト
ゲート源の電圧:
±20 V
現在を流出させなさい:
21 A
作動および貯蔵の接合部温度の範囲:
– 55から+125 °C
熱抵抗、接続点にAmbien:
50 °C/W
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

二重N-Channelの論理のレベルのPowerTrenchのMOSFET


概説

これらのN-Channelの論理のレベルのMOSFETsはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度のPowerTrenchプロセスを使用して。

これらの装置は低電圧および低いインライン電源切れおよび速い切換えが要求される電池式の適用のためにうってつけである。

注:

1:RθJAは場合の熱参照が下水管ピンのはんだの土台表面と定義される接続点に場合および場合に包囲された抵抗の合計である。RθJCはRθJAがユーザーの板設計によって定められる間、意図的に保証される。

2:脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300のµs、使用率の≤ 2.0%

物品目録


ATTANSICL1 125 ATMEL 16+ QFP-64
FW82801EB SL73Z 3460 INTEL 13+ BGA
APM3055LUC-TRL 1600 ANPEC 15+ TO-252
AT89LP4052-20PU 2300 ATMEL 16+ DIP-20
AT91R40008-66AU 2500 ATMEL 15+ QFP100
74LVC32AD 7500 16+ SOP
FTA04N65 3460 IPS 15+ TO-220
ADM809TARTZ 2000年 広告 15+ SOT-23
H11AA1M 3460 FSC 16+ DIP-6
CD74HC4051M96 5900 チタニウム 15+ SOP-16
H11L1SR2M 3460 フェアチャイルド 16+ SOP-6
ATMEGA16A-PU 2500 ATMEL 15+ DIP-40
CY7C68013A-56LTXC 2700 CYPRESS 15+ QFN
EP3C10F256C8N 2070年 ALTERA 15+ BGA
AT89C51RD2-SLSUM 2300 ATMEL 13+ PLCC
AT27C010-70JU 2300 ATMEL 13+ すくい
FSDM0465REWDTU 3460 フェアチャイルド 14+ TO-220
ADS8361IDBQ 2000年 チタニウム 16+ SSOP-24
AX88796CLF 2170 ASIX 16+ QFP
IS61WV51232BLL-10BLI 750 ISSI 12+ BGA
CY7C68013A-128AXC 2750 CYPRESS 13+ QFP128
EXB841 1950年 富士 15+ ZIP-13
74LVTH16244MTDX 7500 フェアチャイルド 16+ TSSOP
AT49F040-12TI 2300 ATMEL 16+ TSOP
BC856B 12000 15+ SOT-23
ADS1230IPWR 2000年 チタニウム 16+ TSSOP-16
BZX84J-C15 6000 16+ SOD323
FSF05A20 3460 NIEC 16+ TO-220
BYW95C 9000 ファイ 15+ SOD-64
CR1220 3950 松下電器産業 15+ SMD
AT25DF041A-SH-T 2300 ATMEL 16+ SOP
BD237 5500 16+ TO-126
2SK2225 3000 RENESAS 16+ TO-3P
24AA64T-I/SN 3000 マイクロチップ 14+ SOP
DAC8811IBDGKR 1500 チタニウム 14+ MSOP-8
IRFS38N20DTRLPBF 1500 IR 13+ TO-252
CD4053BPWR 6350 チタニウム 15+ TSSOP
IRLR3705Z 3200 IR 13+ TO-252
ADS1243IPWR 2000年 チタニウム 15+ TSSOP-20
FDN358P 2200 FSC 15+ SOT-23
ADM2485BRWZ 2000年 広告 15+ SOP
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イメージ 部分# 記述
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs