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BFQ67W SOT-23の電子工学の集積回路の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
RFのトランジスターNPN 10V 50mA 8GHz 300mW表面の台紙SC-70
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
温度較差:
– 65°Cへの+150°C
支払の言葉:
T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
電圧:
2.5V
現在:
50mW
パッケージ:
SOT-23
工場パッケージ:
3000PCS/Reel
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

BFQ67W SOT-23の電子工学の集積回路の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター

特徴

•小さいフィードバック キャパシタンス

•低雑音図

•高い転移の頻度

•鉛(Pb)のなしの部品

•RoHS 2002/95/ECおよびWEEE 2002/96/ECへの調和の部品

適用

低雑音の小さい信号のアンプ2つまでのGHz。このトランジスターにUHF、VHFおよびマイクロ波振動数で優秀な雑音指数および準の利益性能がある。

機械データ タイプ:

BFQ67場合:SOT-23プラスチック ケースの重量:およそ8.0 mgの印:V2ピンで止めること:1 =コレクター、2 =基盤、3 =エミッターのタイプ:BFQ67Rの場合:SOT-23プラスチック ケースの重量:およそ8.0 mgの印:R67ピンで止めること:1 =コレクター、2 =基盤、3 =エミッターのタイプ:BFQ67Wの場合:SOT-323プラスチック ケースの重量:およそ6.0 mgの印:WV2ピンで止めること:1 =コレクター、2 =基盤、3 =エミッター

絶対最高評価

Tamb = 25 °C他に特に規定がなければ

変数 Sybol 価値 単位
Collector-base電圧 VCBO 20 V
Collector-emitter電圧 VCEO 10 V
Emitter-base電圧 VEBO 2.5 V
コレクター流れ IC 50 mA
全体の電力損失 Ptot 200 MW
接合部温度 PJ 150 °C
保管温度の範囲 Tstg -65から+150 °C

物品目録の部分

DS18B20+ 格言 1603 TO-92
BTA41-800BRG STM 628 TO-247
IRF740 IR 508D TO-220
FT231XS-R FTDI 1605 SSOP-20
K9F1G08UOD-SCBO サムスン 549 TSOP-48
B39440-X6764-N201 EPSON 2874 SIP-5
LM3578AM NSC CSRC SOP-8
MAX489CPD 格言 1618 DIP-14
AT89C2051-24PU ATMEL 1506 DIP-20
FR2J PANJIT 1628 SMB
UF5408 VISHAY 1632 DO-201
SMAJ250A LITTLEFUSE 16H128 SMA
DS1603 ダラス 9944A1/102795 DIP-7
93LC86C-I/SN マイクロチップ 1243 SOP-8
SMF3.3.TCT SEMTECH 1622/F03 SC70-5
DS1338Z-33+TR 格言 1630A3 SOP-8
GQM1885C1H150GB01D 村田 IA6903WR4 SMD0603
C0402C222K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
GCM155R71H223KA55D 村田 IA6903WR4 SMD0402
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