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STD4NK60ZT4力mosfetモジュール力Mosfetのトランジスター トランジスター|MOSFET|N-CHANNEL|TO-252AA

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 600 V 4A (Tc)の70W (Tc)表面の台紙DPAK
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
下水管源の電圧(VGS = 0):
600ボルト
下水管ゲートの電圧(RGS = 20 kΩ):
600ボルト
ゲート源電圧:
± 30 V
ゲートの源ESD (HBM-C=100pF、R=1.5KΩ):
3000ボルト
ピーク ダイオードの回復電圧斜面:
4.5 V/ns
作動の接合部温度:
-55から150 °C
ハイライト:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

導入


STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CHANNEL 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
SuperMESHTMPower Zener保護されたMOSFET

■典型的なRDSの() = 1.76のΩ
■非常に高いdv/dtの機能
■100%のなだれはテストした
■ゲート充満は最小になった
■まさに低く本質的なキャパシタンス
■まさによい製造REPEATIBILITY

記述
SuperMESHTMシリーズはSTの確立したstripbased PowerMESHTMのレイアウトの極度な最適化によって得られる。オン抵抗をかなり押下げることに加えて最もデマンドが高い適用のための非常によいdv/dtの機能を保障するために、特別な注意は取られる。そのようなシリーズはMDmeshTM革命的なプロダクトを含む高圧MOSFETsのフル レンジSTを補足する。

適用
高い流れ、高速切換え
■オフ・ラインの電源、アダプターおよびPFCのための理想
■照明

絶対最高評価

記号変数価値単位
STP4NK60Z STB4NK60ZSTP4NK60ZFPSTD4NK60Z STD4NK60Z-1
VDS下水管源の電圧(VGS = 0)600V
VDGR下水管ゲートの電圧(RGS = 20 kΩ)600V
VGSゲート源電圧± 30V
ID現在を(連続的)でTC = 25°C流出させなさい44 (*)4
ID現在を(連続的)でTC = 100°C流出させなさい2.52.5 (*)2.5
IDM (l)下水管の流れ(脈打つ)1616 (*)16
PTOT総消滅のTC = 25°C702570W
要因の軽減0.560.20.56With°C
VESD (G-S)ゲートの源ESD (HBM-C=100pF、R=1.5KΩ)3000V
dv/dt (1)ピーク ダイオードの回復電圧斜面4.5V/ns
VISO絶縁材の抵抗電圧(DC)-2500-V

Tj

Tstg

作動の接合部温度

保管温度

-55から150

-55から150

°C

°C

(l)安全運転区域限られる脈拍幅
(1) ISD ≤4A、di/dt ≤200A/µsのVDDの≤ V (BR) DSSのTjの≤ TJMAX。
(*)割り当てられた最高温度がによってだけ限った



標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
LMV931MG3299NSC15+SC70-5
MC33887VM3328MC16+HSOP
OPA277PA7240チタニウム15+すくい
LT1114S14#TR5182LT10+SOP-14
MC44BS373CADR23544FREESCALE10+SOP
MAX5024LASA+14550格言16+SOP
LNBH23LQTR1272ST14+QFN-32
88E6185-A2-LKJ1C0001211MARVELL15+QFP
LM348MX6789NSC13+SOP-14
AZ1084CD-ADJTRG11500BCD13+TO-252
LP3990MFX-3.34682NSC15+SOT-23-5
PIC16F616T-I/ML5163マイクロチップ16+QFN
AAT4280IGU-1-T14000類推的15+SOT23
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