BFG135 npnの一般目的のトランジスター力MosfetのトランジスターNPN 7GHzワイドバンドのトランジスター
指定
Collector-Base電圧:
25ボルト
Collector-emitter電圧:
15ボルト
Emitter-base電圧:
2ボルト
DCのコレクター流れ:
150 mA
全体の電力損失:
1つのW
保管温度:
150 °Cへの−65
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
BFG135
NPN 7GHzのワイドバンドのトランジスター
記述
ワイドバンドのアンプの塗布のために意図されているプラスチックSOT223封筒のNPNのケイ素の平面のエピタキシアル トランジスター。小さいエミッターの構造は、統合されたエミッターballastingの抵抗器を搭載する低いゆがみのレベルで、高出力の電圧機能を保障する。
装置の表面を渡る作用面積の配分は優秀な温度プロフィールを与える。
限界値
絶対最高システム(IEC 134)に従って。
記号 | 変数 | 条件 | MIN. | MAX. | 単位 |
VCBO | collector-base電圧 | 開いたエミッター | - | 25 | V |
VCEO | collector-emitter電圧 | 開いた基盤 | - | 15 | V |
VEBO | emitter-base電圧 | 開いたコレクター | - | 2 | V |
IC | DCのコレクター流れ | - | 150 | mA | |
Ptot | 全体の電力損失 | までTS = 145 °C (ノート1) | - | 1 | W |
Tstg | 保管温度 | -65 | 155 | °C | |
Tj | 接合部温度 | - | 175 | °C |
ノート1.のTSはコレクター タブのはんだ付けするポイントに温度である。
ピンで止めること
PIN | 記述 |
1 | エミッター |
2 | 基盤 |
3 | エミッター |
4 | コレクター |
混変調ひずみおよび第2順序の混変調ひずみテスト回路。
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
AD8626ARZ | 4340 | 広告 | 15+ | SOP-8 |
AD8227ARMZ | 4330 | 広告 | 14+ | MSOP-8 |
MCHC908QT4CDWE | 4328 | FREESCALE | 13+ | SOIC |
AD8561ARUZ | 4327 | 広告 | 14+ | TSSOP-8 |
LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
ADR395BUJZ | 4324 | 広告 | 15+ | SOT23 |
LNK362PN | 4323 | 力 | 15+ | DIP-7 |
LT1376CS8 | 4321 | 線形 | 14+ | SOP-8 |
LPC2103FBD48 | 4318 | 15+ | LQFP-48 | |
AD9927BBCZ | 4318 | 広告 | 14+ | LCSP88 |
ADUM1401BRWZ | 4315 | 広告 | 14+ | SOP16 |
ADG819BRMZ | 4312 | 広告 | 15+ | MSOP8 |
ADP2303ARDZ | 4309 | 広告 | 15+ | SOP8 |
MIC29302BU | 4308 | MICREL | 05+ | TO-263 |
PIC18F26K22-I/SO | 4305 | マイクロチップ | 15+ | SOP |
MC908QT1ACDWE | 4302 | FREESCALE | 15+ | SOP |
MC33879APEK | 4300 | FREESCALE | 14+ | SOIC |
MC10EL07DR2G | 4300 | 15+ | SOP-8 | |
MAX660MX | 4300 | NSC | 12+ | SOP-8 |
MAX3238CDBR | 4300 | チタニウム | 15+ | SSOP |
BTA225-800B | 4300 | 14+ | TO-220A |
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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標準的:
MOQ:
10pcs