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BFG135 npnの一般目的のトランジスター力MosfetのトランジスターNPN 7GHzワイドバンドのトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
RFのトランジスターNPN 15V 150mA 7GHz 1W表面の台紙SC-73
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-Base電圧:
25ボルト
Collector-emitter電圧:
15ボルト
Emitter-base電圧:
2ボルト
DCのコレクター流れ:
150 mA
全体の電力損失:
1つのW
保管温度:
150 °Cへの−65
ハイライト:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

導入

BFG135

NPN 7GHzのワイドバンドのトランジスター

記述

ワイドバンドのアンプの塗布のために意図されているプラスチックSOT223封筒のNPNのケイ素の平面のエピタキシアル トランジスター。小さいエミッターの構造は、統合されたエミッターballastingの抵抗器を搭載する低いゆがみのレベルで、高出力の電圧機能を保障する。

装置の表面を渡る作用面積の配分は優秀な温度プロフィールを与える。

限界値

絶対最高システム(IEC 134)に従って。

記号 変数 条件 MIN. MAX. 単位
VCBO collector-base電圧 開いたエミッター - 25 V
VCEO collector-emitter電圧 開いた基盤 - 15 V
VEBO emitter-base電圧 開いたコレクター - 2 V
IC DCのコレクター流れ - 150 mA
Ptot 全体の電力損失 までTS = 145 °C (ノート1) - 1 W
Tstg 保管温度 -65 155 °C
Tj 接合部温度 - 175 °C

ノート1.のTSはコレクター タブのはんだ付けするポイントに温度である。

ピンで止めること

PIN 記述
1 エミッター
2 基盤
3 エミッター
4 コレクター

混変調ひずみおよび第2順序の混変調ひずみテスト回路。

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 Q'ty MFG D/C パッケージ
AD8626ARZ 4340 広告 15+ SOP-8
AD8227ARMZ 4330 広告 14+ MSOP-8
MCHC908QT4CDWE 4328 FREESCALE 13+ SOIC
AD8561ARUZ 4327 広告 14+ TSSOP-8
LM75CIMX-5 4325 NSC 14+ SOP-8
ADR395BUJZ 4324 広告 15+ SOT23
LNK362PN 4323 15+ DIP-7
LT1376CS8 4321 線形 14+ SOP-8
LPC2103FBD48 4318 15+ LQFP-48
AD9927BBCZ 4318 広告 14+ LCSP88
ADUM1401BRWZ 4315 広告 14+ SOP16
ADG819BRMZ 4312 広告 15+ MSOP8
ADP2303ARDZ 4309 広告 15+ SOP8
MIC29302BU 4308 MICREL 05+ TO-263
PIC18F26K22-I/SO 4305 マイクロチップ 15+ SOP
MC908QT1ACDWE 4302 FREESCALE 15+ SOP
MC33879APEK 4300 FREESCALE 14+ SOIC
MC10EL07DR2G 4300 15+ SOP-8
MAX660MX 4300 NSC 12+ SOP-8
MAX3238CDBR 4300 チタニウム 15+ SSOP
BTA225-800B 4300 14+ TO-220A

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