一般目的力Mosfetのトランジスター（NPNのケイ素） Pb−FreeはMMBT3904LT1Gを包む
メーカー:
製造者
記述:
両極（BJT）トランジスターNPN 40 V 200 mA 300MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector−Emitterの電圧:
40 Vdc
Collector−Baseの電圧:
60 VDC
Emitter−Baseの電圧:
6.0 Vdc
連続的なコレクター流れの−:
200 mAdc
接続点および保管温度:
+150 °Cへの−55
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
一般目的のトランジスター
NPNのケイ素
最高の評価
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| Collector−Emitterの電圧 | VCEO | 40 | Vdc |
| Collector−Baseの電圧 | VCBO | 60 | Vdc |
| Emitter−Baseの電圧 | VEBO | 6.0 | Vdc |
| 連続的なコレクター流れの− | IC | 200 | mAdc |
熱特徴
| 特徴 | 記号 | 最高 | 単位 |
|
総装置消滅FR−5板 （ノート1） @TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい |
PD | 225 1.8 | MW mW/°C |
| 熱抵抗、Junction−to−Ambient | RJA | 556 | °C/W |
|
総装置消滅のアルミナ 基質、（ノート2） @TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
300 2.4 |
MW mW/°C |
| 熱抵抗、Junction−to−Ambient | RJA | 417 | °C/W |
| 接続点および保管温度 | TJ、Tstg | +150への−55 | °C |
脈拍テスト:脈拍幅300 sの使用率2.0%。F
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MOQ:
5pcs