MMBZ6V2ALT1Gの整流器ダイオード力のZenerの一時的な電圧サプレッサー
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
MMBZ5V6ALT1シリーズ
24のそして40ワットのピーク期の電力のZenerの一時的な電圧サプレッサー
ESDの保護のためのSOT−23二重共通の陽極Zeners
これらの二重単一ケイ素のツェナー ダイオードは一時的な過電圧の保護機能を要求する適用のために設計されている。それらは電圧の使用およびコンピュータ、プリンター、自営機器、通信システム、医療機器および他の適用のようなESDの敏感な装置のために意図されている。二重接続点の共通の陽極設計は1個のパッケージだけを使用して2つの別々のラインを保護する。これらの装置は板スペースが報酬にある状態にとって理想的である。
特徴
•Pb−Freeのパッケージは利用できる
•SOT−23パッケージは2つの別々の単方向構成か単一の二方向構成を可能にする
•働くピーク逆電圧範囲の− 3 Vから26ボルト
•標準的なZenerの絶縁破壊電圧の範囲の− 5.6 Vから33ボルト
•ピーク期の電力の− 24か40氏ワットの@図5波形ごとの1.0 （単方向）、
•人体モデルごとのクラスNのESDの評価（16のkVを超過する）
•最高の締め金で止める電圧@ピーク脈拍の流れ
•低い漏出 < 5="">
•燃焼性の評価UL 94 V−O
機械特徴
場合:無効なしの、移動形成された、thermosettingプラスチック ケース
終わり:solderable防蝕終わり、容易に
はんだ付けする目的のための最高の場合温度:10秒の260°C
8つのmmのテープおよび巻き枠で利用できる高密度適用の最適の自動化された板アセンブリ小型パッケージのサイズのために設計されているパッケージ
7 inch/3,000単位の巻き枠を発注するのに装置番号を使用しなさい。13 inch/10,000単位の巻き枠を発注するために装置番号の「T3」と「T1」を取り替えなさい。
最高の評価
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
|---|---|---|---|
|
ピーク期の電力の消滅@ 1.0氏（ノート1） MMBZ5V6ALT1によるMMBZ10VALT1 @ TLの≤ 25°C MMBZ12VALT1によるMMBZ33VALT1 |
Ppk |
24
40 |
ワット |
|
FR−5板の全体の電力損失（ノート2） @ TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい
熱抵抗Junction−to−Ambient |
PD
Rか。θJA |
225 1.8
556 |
MW mW/°C
°C/W |
|
アルミナの基質（ノート3） @ TA = 25°Cの全体の電力損失 25°Cの上で軽減しなさい
熱抵抗Junction−to−Ambient |
PD
Rか。θJA |
300 2.4
417 |
MW mW/°C
°C/W |
| 接続点および保管温度の範囲 | TJ、Tstg | − 55に+150 | °C |
| 鉛のはんだの温度の−の最高（10第2持続期間） | TL | 260 | °C |
最高の評価はどの装置損傷が起こることができるかを越えるそれらの価値である。最高の評価は装置にで、個々の圧力の限界値（正常な動作条件）である同時に無効適用した。これらの限界が超過すれば、装置機能操作は意味されない、損傷は起こり、信頼性は影響を受けるかもしれない。
1. 図5ごとのNon−repetitiveの現在の脈拍およびの上で軽減するためTA =図6.ごとの25°C。
2. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 inに。
3. アルミナ= 0.4 x 0.3 x 0.024 inに、99.5%アルミナ。
*Otherの電圧は要望に応じて利用できるかもしれない。
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MM74C923N | 4409 | フェアチャイルド | 11+ | すくい |
| MM74HC125MTCX | 76000 | フェアチャイルド | 13+ | TSSOP-14 |
| MM74HC125MX | 72000 | FSC | 02+ | SOP-14 |
| MM74HC132MX | 30000 | フェアチャイルド | 08+ | SOP-14 |
| MM74HC14MX | 60000 | フェアチャイルド | 02+ | SOP-14 |
| MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | SOP-14 |
| MM74HC4060MX | 74000 | フェアチャイルド | 14+ | SOP |
| MM74HC4514N | 8186 | FSC | 05+ | すくい |
| MM9329-2700RA1 | 11113 | 村田 | 14+ | SMD |
| MMA7260QR2 | 2092年 | FREESCALE | 07+ | QFN |
| MMA7455LR1 | 6965 | FREESCALE | 13+ | LGA14 |
| MMA7660FCR1 | 3732 | FREESCAL | 12+ | QFN10 |
| MMA8451QR1 | 12899 | FREESCALE | 16+ | QFN16 |
| MMA8453QR1 | 4155 | FREESCALE | 11+ | QFN16 |
| MMBD1405 | 16500 | フェアチャイルド | 12+ | SOT-23 |
| MMBD3004S-7-F | 128000 | ダイオード | 14+ | SOT-23 |
| MMBD4148 | 18000 | 16+ | SOT-23 | |
| MMBD4148-7-F | 12000 | ダイオード | 13+ | SOT-23 |
| MMBF170LT1G | 12000 | 13+ | SOT-23 | |
| MMBF2201NT1G | 131000 | 16+ | SOT-323 | |
| MMBF2202PT1 | 77000 | 16+ | SOT-323 | |
| MMBFJ177 | 53000 | FSC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT2222A | 9000 | FSC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT3904-7-F | 24000 | ダイオード | 15+ | SOT-23 |
| MMBT3906 | 8000 | FSC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT3906-7 | 9000 | ダイオード | 16+ | SOT-23 |
| MMBT3906-7-F | 21000 | ダイオード | 12+ | SOT-23 |
| MMBT4403LT1G | 24000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5401LT1G | 27000 | 16+ | SOT-23 | |
| MMBT5550 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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