1500ワットのピーク期の電力の整流器ダイオードの一時的な電圧サプレッサー1.5KE68A
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
1.5KEシリーズ
1500ワットのピーク期の電力の一時的な電圧サプレッサー
特徴
* 1msの機能1500ワットのサージ
*保証される高温にはんだ付けすること:
260の℃/10秒/.375" （9.5mmの）鉛の長さ、5lbs。（2.3kg）張力
*典型的なIR 10Vの上の1つ以下のμA
*速い応答時間:0ボルトからのBV min.への1.0psより普通より少なく。
*低いzenerのインピーダンス
*優秀な締め金で止める機能
機械データ
*場合:形成されたプラスチック
*エポキシ:UL 94V-0率の炎-抑制剤
*鉛:MIL-STD-202の方法208ごとにsolderable軸鉛は保証した
*極性:色バンドは陰極の端を表示する
*取付け位置:
*重量:1.20グラム
電圧は6.8から440ボルト及ぶ
1500ワットはピーク期の電力を
5.0ワット定常
最高の評価および電気特徴
評価25の℃の周囲温度のuniessのotherwiesは指定した。
単一フェーズの半波、60Hzの、抵抗または誘導負荷。
容量性負荷のために、20%によって現在を軽減しなさい。
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| TA=25 ℃のピーク期の電力の消滅、TP =1ms （ノート1） | PPK | 最低1500 | ワット |
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TL=75 ℃の定常電力損失 鉛の長さ.375" （9.5mm） （ノート2） |
PD | 5.0 | ワット |
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8.3ms単一の半分の正弦波のピーク前方サージ電流 （ノート3）定格負荷（JEDEC方法）で重ねられる |
IFSM | 200 | Amps |
| 作動し、保管温度の範囲 | TJ、TSTG | -55から+175 | ℃ |
注:
1. 図3ごとの非反復現在の脈拍および図2.ごとのTA =25の℃の上で軽減されて。
2. 0.8"の銅のパッド区域に取付けられるFig.5ごとのX 0.8" （20mm x 20mm）。
3. 8.3ms単一の半分の正弦波、使用率=微細な最高ごとの4つの脈拍。
両極適用のための装置
1. 二方向の使用Cかカリフォルニアのためにタイプ1.5KE6.8によって1.5KE440のために接尾辞として付けなさい。
2. 電気特徴は両方の方向で適用する。
評価および特性曲線（1.5KEシリーズ）
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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