コンピュータ サーキット ボードの破片は統合されたデジタルDS1821Sをプログラムした
electronic chip board
,electronic components ic
コンピュータ サーキット ボードの破片は統合されたデジタルDS1821Sをプログラムした
DS1821Sプログラム可能なデジタルのサーモスタットおよび温度計
特徴の
外的な部品のを要求しない
独特な1-Wire®インターフェイスはコミュニケーションのために1つの左舷ピンだけ要求する
+125°Cに-55°Cに作動する（- +257°F）温度較差への67°F
はuser-definable旅行ポイントが付いている独立サーモスタットが8ビット（1°C決断）摂氏温度の測定を提供すると同時に作用する
の正確さは1第2のデジタル単語に+85°Cの範囲のへ0°C上の±1°Cは変える温度をである（最高）
3ピンPR35および8ピンそうパッケージので利用できる
適用はサーモスタット制御、インダストリアル・システム、消費者製品、温度計、または熱的に敏感なシステムを含んでいる
PINの記述
GND -地面
DQ -データIn/Outおよびサーモスタットの出力
VDD -電源
電圧NC -接続してはいけない
温度検出器の機能性
DS1821の中心の機能性は-55°Cに+125°C.の範囲上の8ビット（1°C増分）摂氏温度の読書を提供する専有直接にデジタル温度検出器である。温度の測定の回路部品のブロック ダイヤグラムは図2.で示されている。この回路は高い臨時雇用者co発振器によって定められるゲートの期間の間に低温係数（臨時雇用者co）の発振器によって発生する時計サイクルの数のカウントによって温度を測定する。低い臨時雇用者coカウンターは対応する基礎計算と– 55°C.前もって調整される。カウンターが達すればゲートの期間の前の0は1度、前もって調整される温度の記録– 55°C、増加する終わった、カウンターは斜面蓄積装置の回路部品によって定められる始めの値と再度前もって調整される。前もって調整された反対の価値はあらゆる温度の増分のために独特で、温度上の発振器の放物線行動を補う。現時点で、カウンターは0に達するまで再度時間を記録される。カウンターが0に達するときゲートの期間がになければ、温度の記録は再度増加する。カウンターを前もって調整し、0点規正するために数えそして温度の記録を増加するこのプロセスはカウンターがゼロに達するのに高い臨時雇用者co発振器のゲートの期間の持続期間より時間をかけるまで繰り返される。この反復的なプロセスが完全なとき、温度の記録の価値は装置の摂氏温度を示す。
TEMPERATURE/DATA関係表2
| 温度 |
デジタル出力 （バイナリ） |
デジタル出力 （ジンクス） |
| +125°C | 0111 1101 | 7Dh |
| +85°C | 0101 0101 | 55h |
| +25°C | 0001 1001 | 19Hh |
| 0°C | 0000 0000 | 00h |
| -1°C | 1111 1111 | FFh |
| -25°C | 1110 0111 | E7h |
| -55°C | 1100 1001 | C9h |
高解像の温度の読書はカウンターおよび斜面蓄積装置に残るデータを使用してユーザー温度の転換が完全なとき非常により8ビット決断の温度の価値を計算できる。これをするためにはユーザーは最初に8ビット温度の記録からの温度を読まなければならない。この価値は高解像の同等化のTEMP_READと呼ばれる（Eqを見なさい。1）。9ビット カウンターの価値は読まれたカウンター[A0h]命令の発行によってそれから得られなければならない。この価値はゲートの期間の終わりにカウンターに残る計算で、EqのCOUNT_REMAINと呼ばれる。1。次にカウンターに9ビット斜面蓄積装置の価値に荷を積む負荷カウンター[41h]命令は出されなければならない。斜面蓄積装置の価値（EqのCOUNT_PER_Cを呼んだ。1）はカウンターから再度読まれたカウンター[A0h]命令を出すことによってそれから読むことができる。斜面蓄積装置の価値はある特定の温度（摂氏温度ごとのすなわち、計算）で正確な測定のために必要とされる計算の数を表すので「COUNT_PER_C」と呼ばれる。高解像の温度はEqを使用してそれから計算することができる。1:Eq。1）温度= TEMP_READの− 0.5は+ Cの計算ごとのCの計算ごとの計算_の_（_の_の−の_）に高解像の温度の読書は連続的な転換モードでが使用することができない残る。また、読まれたカウンター[A0h]および負荷カウンター[41h]命令はが連続的な転換モードで使用されてはならない。
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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