AS214-92LF 集積回路チップ PHEMT GaAs IC SPDT スイッチ 0.1-3 GHz
integrated circuit ic
,integrated circuit components
AS214-92、AS214-92LF: PHEMT GaAs IC SPDT スイッチ 0.1 ~ 3 GHz
アプリケーション
● WLAN、Bluetooth の T/R スイッチTM中電力通信アプリケーション
特徴
● 低い挿入損失 (0.4 dB @ 2.4 GHz)
●アイソレーション 26 dB @ 2.4 GHz
●DC消費電力が低い
●PHEMTプロセス
● 1.8 V の制御電圧で動作します。
● JEDEC J-STD-020 に準拠した鉛 (Pb) フリーおよび RoHS 準拠の MSL-1 @ 260 °C が利用可能
説明
AS214-92 は、低コストの小型 SC-70 6 リード プラスチック パッケージに収められた中出力 IC FET SPDT スイッチです。AS214-92 は、挿入損失が低く、DC 消費電力が非常に低い正電圧動作が特徴です。この汎用スイッチは、さまざまな電気通信アプリケーションで使用できます。
ピン配置
DC ブロッキング コンデンサ (CBL) 正電圧動作には外部から供給する必要があります。
CBL= 500 MHz を超える動作の場合は 100 pF。
絶対最大定格
特性 | 価値 |
---|---|
RF入力電力 |
最大2Wf > 500 MHzの場合 f < 500 MHz の場合は 500 mW VCTL= 0/8V |
供給電圧 | 8V |
電圧を制御する | -0.2V、+8V |
動作温度 | -40℃~+85℃ |
保管温度 | -65℃~+150℃ |
性能は仕様表に記載されている条件下でのみ保証されており、絶対最大仕様に記載されている全範囲の下で保証されるものではありません。絶対最大/最小仕様のいずれかを超えると、デバイスに永久的な損傷が生じる可能性があり、保証が無効になります。
株式公開(ホットセル)
部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
IRF530NPBF | 1822年 | IR | 14歳以上 | TO-220 |
TNY280PN | 1822年 | 力 | 14歳以上 | DIP-7 |
74HC595 | 1841年 | 14歳以上 | SOP | |
3296W-1-503LF | 1850年 | ボーンズ | 16歳以上 | 浸漬 |
LT1172CT | 1850年 | LT | 16歳以上 | TO220-5 |
A4506 | 1875年 | アナゴ | 13歳以上 | SOP-8 |
APM4546 | 1877年 | アンペック | 15歳以上 | SOP-8 |
HCS360/SN | 1879年 | マイクロク | 16歳以上 | SOP8 |
HEF4069UBT | 1887年 | 16歳以上 | SOP14 | |
IRF1010EPBF | 1887年 | IR | 14歳以上 | TO-220 |
2N2907A | 1888年 | ST | 14歳以上 | CAN3 |
MCP609-I/SL | 1888年 | マイクロチップ | 14歳以上 | SOP-14 |
ST72F321BJ9T6 | 1888年 | ST | 16歳以上 | QFP |
W25X40BVSSIG | 1888年 | ウィンボンド | 16歳以上 | SOP8 |
CD4017BE | 1889年 | TI | 13歳以上 | 浸漬 |
ADA4899-1YRDZ | 1895年 | 広告 | 15歳以上 | SOP8 |
PIC18F26K20-I/SO | 1900年 | マイクロチップ | 16歳以上 | SOP28 |
MC34064P-5G | 1941年 | の上 | 16歳以上 | TO92 |
BQ27510DRZR | 1955年 | TI | 14歳以上 | SON-12 |
AK4420ET | 1975年 | AKM | 14歳以上 | TSSOP16 |
AD7541AJN | 1990年 | 広告 | 14歳以上 | DIP-18 |
PIC18F97J60-I/PT | 1990年 | マイクロチップ | 16歳以上 | QFP |
XC3S400-4TQG144C | 1990年 | ザイリンクス | 16歳以上 | TQFP-144 |
FA5571N | 1991年 | 富士 | 13歳以上 | SOP8 |
MBR1045G | 1991年 | の上 | 15歳以上 | TO-220 |
A2231 | 1997年 | アバゴ | 16歳以上 | DIP-8 |
ADM2485BRWZ | 1997年 | 広告 | 16歳以上 | SOP |
H1061 | 1997年 | 打つ | 14歳以上 | TO-220 |
30CPF04 | 1998年 | IR | 14歳以上 | TO-3P |
BYV32E-200 | 1999年 | 14歳以上 | TO-220 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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