AQW254 集積回路チップ PhotoMOS RELAYS ソリッドステート リレー
electronics ic chip
,integrated circuit components
HE(ハイファンクションエコノミー)タイプ
【2チャンネル(フォームA)タイプ】
フォトモスリレー
特徴
1. コンパクトな8ピンDIPサイズ
本体サイズは(W)6.4×(L)9.78×(H)3.9mm(W).252×(L).385×(H).154インチのコンパクトサイズ、8ピンDIPサイズ(スルーホール端子タイプ) )。
2. 2 Form A の使用と 2 つの独立した 1 Form A の使用に適用可能
3. ローレベルアナログ信号の制御
PhotoMOS リレーは、非常に低い閉回路オフセット電圧を備えており、低レベルのアナログ信号を歪みなく制御できます。
4. 高感度、低オン抵抗
入力電流5mAで最大0.16A(AQW254)の負荷電流を制御可能。ON抵抗が16Ωと低い(AQW254)。金属接触部分がないため安定した動作が可能です。
5. 低レベルオフ状態漏れ電流
SSRのオフ時漏れ電流は数mAですが、PhotoMOSリレーは定格負荷電圧400Vでも100pAしかありません(AQW254)。
6. 低い熱起電力(約1μV)
代表的なアプリケーション
・高速検査機
・データ通信機器
• 電話設備
絶対最大定格(周囲温度:25°C / 77°F)
アイテム | シンボル | AQW254(A) | 備考 | |
---|---|---|---|---|
入力 | LED順電流 | 私F | 50mA | |
LED逆電圧 | VR | 3V | ||
ピーク順電流 | LFP | 1A | f = 100Hz、デューティ比 = 0.1% | |
消費電力 | Pの | 75mW | ||
出力 | 負荷電圧(ピークAC) | VL | 400V | |
連続負荷電流 | 私L | 0.12A(0.16A) | 接続:ピークAC、DC( )内:1チャンネルのみ使用の場合 | |
ピーク負荷電流 | 私ピーク | 0.36A | 接続:100ms(1ショット)、VL= DC | |
消費電力 | P外 | 800mW | ||
総電力損失 | PT | 850mW | ||
I/O絶縁電圧 | Vイソ | AC1,500V | 入出力間/接点セット間 | |
温度制限 | オペレーティング | T作戦 |
-40℃~+85℃ -40°F ~ +185°F |
低温でも結露しない |
保管所 | Tstg |
-40℃~+100℃ -40°F ~ +212°F |
株式公開(ホットセル)
部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
XC9572XL-10TQG100C | 510 | ザイリンクス | 14歳以上 | TQFP |
MTD1375F | 1733年 | 新電撃 | 16歳以上 | HSOP28 |
CMX865AD4 | 1756年 | CML | 16歳以上 | SOP16 |
LT3756EMSE-2 | 1779年 | LT | 13歳以上 | MSOP |
ADP3334ARZ | 1802年 | 広告 | 15歳以上 | SOP8 |
XC7K325T-2FFG900I | 225 | ザイリンクス | 16歳以上 | BGA |
AD7732BRUZ | 2908 | 広告 | 16歳以上 | TSSOP |
ADM2484EBRWZ | 3001 | 広告 | 14歳以上 | SOP |
U8100E | 3094 | の上 | 14歳以上 | TO220 |
XC3SD3400A-4FGG676C | 318 | ザイリンクス | 14歳以上 | BGA |
CS5532ASZ | 3280 | 巻雲 | 16歳以上 | SSOP |
D203S | 3373 | PIR | 16歳以上 | TO-50 |
STM32F103RET6 | 3466 | ST | 13歳以上 | QFP |
STRW6253 | 3559 | サンケン | 15歳以上 | TO-220F |
PIC16F887-I/PT | 3652 | マイクロチップ | 16歳以上 | QFP |
ST-18 | 3745 | アスリック | 16歳以上 | DIP16 |
AT91SAM7X128B-AU | 3838 | アトメル | 14歳以上 | 100-LQFP |
FT2232D | 3931 | FTDI | 14歳以上 | LQFP48 |
PIC18F2420-I/SP | 4024 | マイクロチップ | 14歳以上 | 浸漬 |
UT62256CPC-70LL | 4117 | ユタ州 | 16歳以上 | 浸漬 |
VB525SP | 4210 | ST | 16歳以上 | SOP-10 |
AD654JRZ-リール | 4303 | ADI | 13歳以上 | SOP |
HCPL316J | 4396 | アバゴ | 15歳以上 | SOP |
AT89S52-24PU | 4489 | アトメル | 16歳以上 | 浸漬 |
AD536AJD | 4582 | 広告 | 16歳以上 | 浸漬 |
BD6775EFV-E2 | 4675 | ローム | 14歳以上 | SSOP28 |
IRFPS3815 | 4768 | IR | 14歳以上 | TO-247 |
ADG918BRMZ | 4861 | 広告 | 14歳以上 | MSOP |
SMP8653A-CBE3 | 2954 | シグマデス | 16歳以上 | BGA |
NPCD378HAKFX | 5047 | ヌボトン | 16歳以上 | QFP |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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