PVT322Sのツェナー ダイオードICの電子工学の部品プログラムIC破片の記憶IC
chip in electronics
,integrated components
シリーズPVT322
マイクロエレクトロニック力IC HEXFET®力MOSFETの光起電リレー二重ポーランド人のノーマル・オープン0-250V、170mA AC/DC
概説
PVT322シリーズ光起電リレーはdualpole、多くの適用の電気機械のリレーを取り替えることができるノーマル・オープンの半導体継電器である。
それは新しい構造の集積回路の光起電発電機によって運転される出力スイッチとして国際的な整流器のHEXFET力MOSFETを利用する。
出力スイッチは光起電発電機から光学的に隔離されるGaAlAsの発光ダイオード（LED）からの放射によって制御される。
シリーズPVT322リレーは8ピン、によ穴または表面の台紙（カモメ翼）ターミナルが付いている形成されたすくいのパッケージで包まれる。
それは標準的なプラスチック出荷の管でまたはテープandreelで利用できる。部分の同一証明情報反対を参照しなさい。
特徴
HEXFET力MOSFETの出力
跳ね上がりなしの操作
4,000 VRMS入力/出力の分離
線形AC/DC操作
ソリッド ステート信頼性
ULは証明されたBABT確認し、
適用か。か。か。
オン/オフ ホック スイッチか。先端およびリング回線交換か。
概要の切換えPa
| 絶対最高評価（1） |
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最低制御流れ（figure1を見なさい） 2.0 mA オフ状態の抵抗@TA=+25°Cのために現在の最高制御0.4 mA 制御現在の範囲（注意:現在の限界の入力LEDは、図5）を2.0から25 mA見る 最高の逆電圧7.0 V 最低の絶縁耐力、入出力4000 VRMS 最低の絶縁耐力、ポーランド人にポーランド人1000 VDC 最低の絶縁抵抗、入出力、@TA=+25°C、50%RHの100VDC 1012 Ω 最高キャパシタンス、入出力1.0 pF最高Pin はんだ付けする温度（10秒最高） +260 周囲温度の範囲:-40から+85の°Cの貯蔵-40に+100を作動させる |
在庫の部分
| TRANS. FDS9435A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
| DIODO MMBD4148,215 | 300000 | 15+ | SOT23-3 | |
| C.I L7805CD2T-TR | 2500 | ST | 14+ | D2PAK |
| FDS6990A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
| NDS9952A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
| SN65HVD485EDR | 1500 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
| SMBJ8.5CA | 7500 | VISHAY | 16+ | SMB |
| PIC24FJ16GA004-I/PT | 1500 | マイクロチップ | 13+ | TQFP-44 |
| C.I TLC072CDGNR | 5000 | チタニウム | 05+ | MSOP-8 |
| C.I SN74LS374N | 2000年 | チタニウム | 15+ | DIP-20 |
| TRANS. BC817-16LT1G | 300000 | 12+ | SOT-23 | |
| C.I TL074CN | 1000 | チタニウム | 12+ | DIP-14 |
| OPTOACOPLADOR MOC3063SM | 20000 | FSC | 14+ | SOP-6 |
| トライアックBT151-500R | 300000 | 16+ | TO-220 | |
| C.I MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | SOP-14 |
| C.I WS79L05 | 100000 | WS | 16+ | TO-92 |
| RES RL1206FR-070R75L | 100000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RC1206FR-071R5L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RC1206FR-071R2L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RL1206FR-070R68L | 1000000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| RES RC0402FR-0722KL | 3000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RES RC0402FR-0756RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RES RC0402FR-0724RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
| RES RC1206JR-072ML | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
| 帽子1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE | 600000 | サムスン | 16+ | SMD1206 |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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