CA3080Eの集積回路ICの集積回路の破片2MHzの操作上の相互コンダクタンスのアンプ(OTA)
chip in electronics
,small scale integrated circuits
CA3080、CA3080A
2MHzの操作上の相互コンダクタンスのアンプ(OTA)
CA3080およびCA3080Aのタイプはアプリケーション ノートAN6668で独特な操作上transconductanceamplifierの(OTA)概念を記述した、「CA3080およびCA3080Aの高性能操作上の相互コンダクタンスのの適用アンプ」利用するGatable利益ブロックである。
CA3080およびCA3080Aのタイプに差動入力および片端接地が、プッシュ プル、クラス出力ある。さらに、これらのタイプにゲートで制御することまたは線形利益制御のために使用されるかもしれないアンプ バイアス入力がある。
これらのタイプにまた高出力のインピーダンスがあり、相互コンダクタンス(GM)はアンプ バイアス流れ(IABC)に正比例している。
CA3080およびCA3080Aのタイプはそれらを多重交換装置および速い単一性利益電圧従節のために特に有用にさせる優秀なスルー・レート(50V/µs)のために著しい。
これらのタイプは装置が" on "チャネルの州にあるときだけ力が消費されるので多重交換装置の塗布のために特に適当である。
CA3080Aの特徴はサンプル把握、利益制御、多重型になること、等のような適用のためにとりわけ制御される。
特徴
•スルー・レート(償われる単一性の利益)………。50V/µs
•調節可能なパワー消費量。………。.10µWへの30µW
•適用範囲が広い供給電圧の範囲。………… ±2Vへの±15V
•十分に調節可能な利益……………。gMRLへの0は限る
•堅いGMの広がり:
- CA3080.……………………………。2:1
- CA3080A…………………………。.1.6:1
•延長GMの直線性………………。3十年
適用
•サンプルおよび把握
•乗数
•多重交換装置
•コンパレーター
•電圧従節
Pinouts
絶対最高評価
供給電圧(V+とV-ターミナル間で)…………。36V
差動入れられた電圧…………………………。5V
入れられた電圧……………………………… V+へのV-
入力信号の流れ。…………………………… 1mA
アンプのバイアス流れ(IABC)……………………… 2mA
出力短絡の持続期間(ノート1)。…………。限定無し
作動条件
温度較差
CA3080……………………………。0℃への70℃
CA3080A…………………………。-55℃への125℃
熱情報
熱抵抗(、ノート2)典型的な θJA (℃/W) θJC (℃/W)
PDIPのパッケージ………………。 130 N/A
SOICのパッケージ………………。 170 N/A
金属は……………包むことができる 200 120
最高の接合部温度(金属の缶)………。175℃
最高の接合部温度(プラスチック パッケージ)……。150℃
最高の保管温度の範囲。……… -65oCへの150℃
最高の鉛の温度(はんだ付けする10s)………… 300℃
(SOIC -唯一の鉛の先端)
注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の唯一の評価であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されない。
注:
1. 短絡はどちらかの供給にまたはひくために適用されるかもしれない。
2. θJAは自由大気に評価のパソコン ボードに部品と取付けた測定される。
図式的な図表
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
MAX1044CSA | 4116 | 格言 | 13+ | SOP |
BTS724G | 4109 | 15+ | SOP-20 | |
PIC16LF1936-I/ML | 4106 | マイクロチップ | 12+ | QFN |
L165V | 4106 | ST | 15+ | TO220-5 |
MAX3222CUP+T | 4104 | 格言 | 15+ | TSSOP |
ADS1115IDGSR | 4104 | チタニウム | 15+ | MSOP10 |
ADG708CRUZ | 4104 | 広告 | 14+ | TSSOP-16 |
AT24C512N-10SU-2.7 | 4102 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
ALC203-LF | 4102 | REALTEK | 15+ | QFP48 |
MCZ33879AEK | 4101 | FREESCALE | 15+ | SSOP |
MC68HC908QT4CPE | 4100 | FREESCALE | 10+ | すくい |
BQ2060A-E619DBQR | 4100 | チタニウム | 15+ | SSOP |
ATMEGA8A-PU | 4090 | ATMEL | 15+ | DIP-28 |
ATMEGA8A-PU | 4090 | ATMEL | 15+ | DIP-28 |
LT1964ES5-BYP#TRPBF | 4089 | 線形 | 14+ | SOT-23 |
BTA12-600SWRG | 4084 | ST | 14+ | TO-220 |
16212886 | 4080 | 05+ | SOP-28 | |
ADG1604BRUZ | 4075 | 広告 | 15+ | SSOP |
ATMEGA328P-AU | 4055 | ATMEL | 14+ | QFP32 |
PIC16F916-I/SO | 4054 | マイクロチップ | 14+ | SOP |
ADG1312YRUZ | 4050 | 広告 | 14+ | SSOP |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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