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集積回路の破片256Kは平行EEPROM AT28C256-15PUのページを捲った

メーカー:
製造者
記述:
EEPROMの記憶IC 256Kbit平行150 ns 28-PDIP
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
タイム速い読み取りアクセス:
– 150 ns
自動ページは操作を書く:
64バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金
速くサイクル時間を書きなさい:
–ページはサイクル時間を書く:3氏か10氏最高
低い電力の消滅:
終わりのためのデータ投票はの検出を書く
バイアスの下の温度:
. -55°Cへの+125°C
保管温度:
-65°Cへの+150°C
ハイライト:

chip in electronics

,

integrated components

導入

特徴

•速い読み取りアクセスの時間

– 150 ns

•自動ページは操作を書く

– 64バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金

–内部制御のタイマー

•速くサイクル時間を書きなさい

–ページはサイクル時間を書く:3氏か10氏最高

– 64バイトのページへの1つは操作を書く

•低い電力の消滅

– 50 mAの活動的な流れ

– 200のµA CMOSのスタンバイの流れ

•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護

•終わりのためのデータ投票はの検出を書く

•高い信頼性CMOSの技術

–持久力:104か105の周期

–データ保持:10年

•単一5V ± 10%の供給

•CMOSおよびTTLの多用性がある入出力

•JEDECはバイト幅のPinoutを承認した

•完全な軍および産業温度較差

•緑の(Pb/Halideなしの)包装の選択

Pin構成

Pin名前 機能
A0 - A14 住所
セリウム 破片は可能になる
OE 出力は可能になる
私達 可能になる書きなさい
I/O0 - I/O7 データ入力/出力
NC 接続してはいけない
DC 接続してはいけない

記述

AT28C256は高性能電気で消去可能な、プログラム可能読み取り専用メモリである。記憶のその256Kは8ビットにつき32,768ワードとして組織される。Atmelの高度の不揮発性CMOSの技術と製造されて、装置はちょうど440 MWの電力損失との150 nsにアクセス時間を提供する。装置が選択解除されるとき、CMOSのスタンバイの流れは200 µAよりより少しである。

AT28C256は読書のための静的なRAMのようにアクセスされるか、または外的な部品のための必要性なしで周期を書く。装置は64バイトまでの書くことを同時に可能にするために64バイトのページの記録を含んでいる。の間に周期を書くために、他の操作のための住所およびデータ・バスを放すデータの住所そして1から64バイトは内部的に掛け金を降ろされる。の開始の後で周期を書くために、装置は内部制御のタイマーを使用して自動的に掛け金を降ろされたデータを書く。の終わりはI/O7のデータ投票によって周期を書くために検出することができる。の終わりが書けば周期は読書のための新しいアクセス検出されるか、または始まることができる書く。

AtmelのAT28C256に良質およびmanufacturabilityを保障する付加的な特徴がある。装置は延長持久力および改善されたデータ保持の特徴のために内部エラー修正を利用する。任意ソフトウェア データ保護のメカニズムは不注意に対して守って利用できる書く。装置はまた装置識別または追跡のためのEEPROMの余分64バイトを含んでいる

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