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IRFP9140Nのトランジスター部品、電子デバイスおよび集積回路

メーカー:
製造者
記述:
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
部門:
力管理IC
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Temperature Range:
–55 to +175°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
± 20 V
Current:
16A
Package:
TO-247AC
Factory Package:
TUBE
ハイライト:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

導入

IRFP9140Nのトランジスター部品、電子デバイスおよび集積回路

記述

国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。

HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。

TO-220装置の使用を排除するためにTO-247パッケージがcommercialindustrial適用高い発電のレベルのために好まれる。TO-247は類似している隔離された取り付け穴のためにより早いTO-218パッケージより優秀でありではない。

特徴

lは加工技術を進めた

l動的dv/dtの評価

l 175°Cの実用温度

l P-Channel lは切換え絶食する

評価される十分にlなだれ

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL マイクロチップ 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR.PC817A シャープ 2016.08.10/H33 DIP-4
TRANS 2SS52M ハネウェル社 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM チタニウム XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE チタニウム 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G マイクロチップ CL2C SOT-89
C.I SN75179BP チタニウム 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS ST 135 SOP-24
帽子1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE サムスン AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
帽子ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN マイクロチップ 1636M6G SOP-8
帽子ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS ニチコン 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RES RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW チタニウム 11/A75240 MSOP-8
RES RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
帽子CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
帽子CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE サムスン AC7JO2H SMD0805
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 SMD0805
RES 3K3 5%の場合0805RC0805JR-073K3L YAGEO 1623 SMD0805
トライアックBTA26-600BRG ST 628 TO-3P
帽子0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V -23 ID @ TC = 100°C

連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V -16 A

脈打つIDMは現在のの… -76 PDを@TC = 25°C流出させる

電力損失140 Wの線形軽減は0.91 With°Cを考慮する

VGSのゲートに源の電圧± 20 V

EASの単一の脈拍のなだれエネルギー‚の… 430 mJ

IARのなだれの現在の -11 A

耳の反復的ななだれエネルギー 14 mJ dv/dt

ピーク ダイオードの回復dv/dt ƒの… -5.0 V/ns

+ 175 TSTGへのTJの作動の接続点そして-55

10秒300の(場合からの1.6mm) °Cのための保管温度の範囲のはんだ付けする温度、

RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs