IRFP9140Nのトランジスター部品、電子デバイスおよび集積回路
npn smd transistor
,silicon power transistors
IRFP9140Nのトランジスター部品、電子デバイスおよび集積回路
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。
HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220装置の使用を排除するためにTO-247パッケージがcommercialindustrial適用高い発電のレベルのために好まれる。TO-247は類似している隔離された取り付け穴のためにより早いTO-218パッケージより優秀でありではない。
特徴
lは加工技術を進めた
l動的dv/dtの評価
l 175°Cの実用温度
l P-Channel lは切換え絶食する
評価される十分にlなだれ
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | マイクロチップ | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR.PC817A | シャープ | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANS 2SS52M | ハネウェル社 | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | チタニウム | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | チタニウム | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | マイクロチップ | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | チタニウム | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
帽子1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | サムスン | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
帽子ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | 鍋 | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | マイクロチップ | 1636M6G | SOP-8 |
帽子ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | ニチコン | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | チタニウム | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
帽子CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
帽子CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | サムスン | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
RES 3K3 5%の場合0805RC0805JR-073K3L | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
トライアックBTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
帽子0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V -23 ID @ TC = 100°C
連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V -16 A
脈打つIDMは現在のの -76 PDを@TC = 25°C流出させる
電力損失140 Wの線形軽減は0.91 With°Cを考慮する
VGSのゲートに源の電圧± 20 V
EASの単一の脈拍のなだれエネルギーの 430 mJ
IARのなだれの現在の -11 A
耳の反復的ななだれエネルギー 14 mJ dv/dt
ピーク ダイオードの回復dv/dt の -5.0 V/ns
+ 175 TSTGへのTJの作動の接続点そして-55
10秒300の(場合からの1.6mm) °Cのための保管温度の範囲のはんだ付けする温度、
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TNY274GN 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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AOZ1021AI 電子ICチップ 新品とオリジナルストック |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN 新しい原産物 |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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